[发明专利]一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端在审
申请号: | 202010780186.2 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN112114998A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 罗海燕;王文武;杨涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G11C29/56 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静态 随机 存储器 冗余 信息 修复 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
本发明公开了一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端,所述方法包括:当针对芯片中的存储阵列进行内建自测试实现时,共享所述存储阵列中各静态随机存储器的信息数据;根据所述各静态随机存储器的信息数据进行冗余分析,生成所述各静态随机存储器所需增加的冗余信息;基于所述所需增加的冗余信息对所述各静态随机存储器进行冗余信息分配。因此,采用本申请实施例,可以用来在芯片开发初级阶段快速的评估静态随机存储器的冗余逻辑信息,并对冗余逻辑信息进行修复,从而提升了芯片的良品率。
技术领域
本发明涉及芯片技术领域,特别涉及一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端。
背景技术
在芯片制造中,随着工艺节点的持续缩小,芯片的逻辑规模越来越大,同样存储能力的静态随机存储器(SRAM)本身的密度也得到了极大的提高,导致集成到单颗芯片上的静态随机存取存储器(SRAM)的数量迅速增大,以至于在现有的芯片规模不断增大的同时,静态随机存取存储器的规模也在不断提高,使得大多数芯片中的静态随机存取存储器可以占有单颗芯片一半以上的面积。如此大规模的应用使静态随机存取存储器(SRAM)极易受到缺陷的影响而报废整颗芯片。因此,如何规划静态随机存取存储器(SRAM)的测试和实现方案对整个芯片的良品率(yield)和产出具有极大的意义。
在现有技术方案中,一种是基于制造厂(Foundry)给出的宏观推荐,这种方式颗粒度比较大。随着存储单元的面积增加,同等条件下存储单元和逻辑单元的良率差距越来越大。因此(制造厂)Foundry给出了宏观的修复方案,当存储单元大小超过某一范围时,需要对存储单元进行修复,从而保证整体良率(yield)的稳定性,但是这并没有考虑芯片的真正情况而且给出的值很难得到最优结果。另一种是各大无晶圆设计公司(Design House)一般都是基于已有的经验,根据制造商(Foundry)的建议来确定冗余逻辑,相对于制造商(Foundry)所推荐的方案,操作颗粒度更加精确,但是仍然不能避免一刀切的情况,很难达到更优的效果。已有机构提出了根据真实的芯片面积来计算冗余逻辑,但是输入数据需要对静态随机存储单元根据制造商(Foundry)的详细信息进行建模,采用复杂的全局迭代,重复运算,没有考虑存储单元的行列的划分,没有考虑修复逻辑以及静态存储单元的分组和修复逻辑本身的影响,由于复杂度的要求太高很难在实际项目上应用。
因此,如何快速的检测出芯片中存储单元的冗余信息并进行修复,从而提高芯片的良品率,是学术界亟待突破的难题。
发明内容
本申请实施例提供了一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解,下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念,以此作为后面的详细说明的序言。
第一方面,本申请实施例提供了一种静态随机存储器中冗余信息修复方法,所述方法包括:
当针对芯片中的存储阵列进行内建自测试实现时,共享所述存储阵列中各静态随机存储器的信息数据;
根据所述各静态随机存储器的信息数据进行冗余分析,生成所述各静态随机存储器所需增加的冗余信息;
基于所述所需增加的冗余信息对所述各静态随机存储器进行冗余信息分配
可选的,所述当当针对芯片中的存储阵列进行内建自测试实现时之前,还包括:
接收预设冗余评估算法;
将所述冗余评估算法嵌入到针对芯片中的存储阵列内建自测试逻辑中。
可选的,所述根据所述各静态随机存储器的信息数据进行冗余分析,生成所述各静态随机存储器所需增加的冗余信息,包括:
根据所述各静态随机存储器的容量大小进行降序排列,生成排列后的各静态随机存储器;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010780186.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。