[发明专利]底部抗反射涂料

权利要求书

1.一种半导体器件制造的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方沉积底层，所述底层包括：

聚合物主链；

极性可切换基团，包括：键合至所述聚合物主链第一端基、包括氟的第二端基、以及键合在所述第一端基和所述第二端基之间的酸不稳定基团；

可交联基团，键合至所述聚合物主链；以及

光酸产生剂；

在所述底层上方沉积光致抗蚀剂层；

根据图案将所述光致抗蚀剂层的一部分和所述底层的一部分曝光于辐射源，从而分解所述底层的曝光部分中的所述光酸产生剂以产生酸性部分；

烘烤所述光致抗蚀剂层和所述底层，使得所述酸性部分与所述酸不稳定基团反应，以将所述第二端基与所述聚合物主链分离；以及

对所述光致抗蚀剂层的曝光部分进行显影以将所述图案转移到所述光致抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述光致抗蚀剂层包括将所述光致抗蚀剂层直接沉积在所述底层上。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在沉积所述光致抗蚀剂层之前，烘烤所沉积的底层，以激活所述可交联基团来键合至另一聚合物主链。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在沉积所述光致抗蚀剂层之前，将所沉积的底层曝光于紫外UV源，以激活所述可交联基团来键合至另一聚合物主链。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射源包括ArF准分子激光器、KrF准分子激光器、或极紫外EUV辐射源。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂层是有机金属光致抗蚀剂，包括从由下列项组成的组中选择的金属：锡、钯、锆、钴、镍、铬、铁、铑和钌。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述底层还包括键合至所述聚合物主链的光致抗蚀剂亲和性基团，

其中，所述光致抗蚀剂亲和性基团包括1个和30个之间的碳原子，

其中，所述光致抗蚀剂层与所述光致抗蚀剂亲和性基团之间的亲和性大于所述光致抗蚀剂层与所述极性可切换基团的所述第二端基之间的亲和性。

8.一种半导体器件制造的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方沉积底层，其中，所述底层包括：

聚合物主链；

含氟基团，键合至所述聚合物主链；

极性基团，键合至所述聚合物主链；

热可交联基团，键合至所述聚合物主链；

交联剂；以及

热酸产生剂，包括被配置为催化所述极性基团和所述交联剂之间的键合的酸性部分；

在所述底层上方沉积光致抗蚀剂层；

根据图案将所述光致抗蚀剂层的一部分曝光于辐射源；

烘烤所述光致抗蚀剂层；以及

对所述光致抗蚀剂层的曝光部分进行显影以将所述图案转移到所述光致抗蚀剂层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积所述光致抗蚀剂层包括将所述光致抗蚀剂层直接沉积在所述底层上。

10.一种半导体器件制造的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方沉积底层，其中，所述底层包括：

聚合物主链；

酸不稳定基团，键合至所述聚合物主链；

紫外UV可固化基团，键合至所述酸不稳定基团；

热酸产生剂，被配置为在第一温度下释放酸性部分；以及

光碱产生剂，被配置为在曝光于辐射源时释放碱性部分；

在所述底层上方沉积光致抗蚀剂层；

在低于第一温度的第二温度下烘烤所述光致抗蚀剂层；

根据图案将所述光致抗蚀剂层的一部分和所述底层的一部分曝光于辐射源，从而从所述光碱产生剂释放所述碱性部分；

在所述第一温度下烘烤所述底层，从而释放所述酸性部分以中和所述碱性部分；以及

对所述光致抗蚀剂层的曝光部分和所述底层的曝光部分进行显影，以将所述图案转移到所述光致抗蚀剂层和所述底层。