[发明专利]一种新型的AlGaN基紫外LED外延结构

权利要求书

1.一种新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，包括自下而上设置的金刚石/氧化锌复合柔性衬底（1）、III族氮化物异质结构（2）、金刚石/III族氮化物异质结构（3）、III族氮化物异质有源区发光结构（4）、p型III族氮化物异质结构（5），所述金刚石/氧化锌复合柔性衬底（1）采用超晶格结构。

2.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/氧化锌复合柔性衬底（1）包括自上而下设置的n型掺杂的金刚石单晶层和n型掺杂的氧化锌单晶层、或者自上而下设置的p型掺杂的金刚石单晶层和n型掺杂的氧化锌单晶层、或者自上而下设置的n型掺杂的金刚石单晶层和p型掺杂的氧化锌单晶层、或者自上而下设置的p型掺杂的金刚石单晶层和p型掺杂的氧化锌单晶层。

3.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/氧化锌复合柔性衬底（1）的厚度为300nm—1.5mm之间，其中n型掺杂的金刚石单晶层的厚度为1nm--20nm之间。

4.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述的金刚石/氧化锌复合柔性衬底（1）掺杂杂质为钴、磷、氮和硫元素，掺杂浓度为10¹⁰—10²⁰cm^-3之间。

5.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物超晶格结构，外延在III族氮化物异质结构（2）表面，位于III族氮化物异质结构（2）与III族氮化物异质有源区发光结构（4）之间，其中金刚石/III族氮化物异质结构（3）为导电掺杂，掺杂杂质为钴、磷、氮和硫元素。

6.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物超晶格结构，外延在III族氮化物异质结构（2）表面，位于III族氮化物异质结构（2）与III族氮化物异质有源区发光结构（4）之间，其中金刚石/III族氮化物异质结构（3）为非导电掺杂。

7.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物异质结构DBR高反层，其中III族氮化物为n型掺杂，掺杂杂质为Si或者Zn元素，掺杂浓度为10¹⁰—10²⁰cm^-3之间。

8.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物异质结构DBR高反层，其中金刚石/III族氮化物异质结构为导电掺杂，掺杂杂质为钴、磷、氮和硫元素。

9.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物异质结构DBR高反层，采用金刚石/III族氮化物超晶格结构，外延在III族氮化物异质结构（2）表面，位于III族氮化物异质结构（2）与III族氮化物异质有源区发光结构（4）之间，金刚石/III族氮化物异质结构DBR高反层为非导电掺杂。

10.根据权利要求1所述的新型的AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述金刚石/III族氮化物异质结构（3）为金刚石/III族氮化物异质结构DBR高反层，其中III族氮化物异质结构为AlInGaN结构或AlInGaN异质结构。