[发明专利]非易失性存储器、非易失性存储器系统及读取和写入方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括多个存储器单元和与模块，所述非易失性存储器被配置成：

响应于接收到的读取命令和读取地址，读取所述读取地址的存储位中耦合的至少两个存储器单元的状态，以及

将读取出的所述至少两个存储器单元的状态传递到所述与模块，

其中所述与模块被配置成对读取出的所述至少两个存储器单元的状态执行与运算，以获得所述读取地址中所存储的数据。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储器单元被划分成多个存储位，并且所述多个存储位中的每个存储位包括耦合的至少两个存储器单元。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器被配置成各个存储位中耦合的至少两个存储器单元用于存储同一写入数据。

4.根据权利要求1或3中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储器单元被划分成多个存储位，所述多个存储位中的每个存储位包括耦合的两个存储器单元，通过字线和位线的组合唯一地寻址每个存储器单元，并且每个存储位中耦合的两个存储器单元通过单个的字线和成对的位线来寻址。

5.根据权利要求1或3中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储器单元被划分成多个存储位，所述多个存储位中的每个存储位包括耦合的两个存储器单元，通过字线和位线的组合唯一地寻址每个存储器单元，并且每个存储位中耦合的两个存储器单元通过成对的字线和单个的位线来寻址。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储器单元中的每个存储器单元选自以下项中的一个：闪速存储器单元、相变随机存储器单元、阻变随机存储器单元、可编程金属化单元、导电桥接随机存储器单元、铁电随机存储器单元、磁阻随机存储器单元和自旋转移力矩随机存储器单元。

7.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：第一存储器阵列和第二存储器阵列，所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列中的每个存储器阵列包括多个存储位，所述多个存储位中的每个存储位对应于存储器阵列的一个访问地址；

第一读取电路，所述第一读取电路与所述第一存储器阵列连接并且被配置成响应于接收到的读取命令和读取地址，读取所述第一存储器阵列中的所述读取地址的存储位的状态；

第二读取电路，所述第二读取电路与所述第二存储器阵列连接并且被配置成响应于所述读取命令和所述读取地址，读取所述第二存储器阵列中的所述读取地址的存储位的状态；

与模块，所述与模块的输入端与所述第一读取电路的输出端和所述第二读取电路的输出端连接，并且所述与模块被配置成对所述第一读取电路的输出和所述第二读取电路的输出执行与运算，以获得所述读取地址中所存储的数据。

8.一种非易失性存储器系统，其特征在于，包括根据权利要求1至7中任一项所述的非易失性存储器。

9.一种读取和写入非易失性存储器的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括多个存储器单元，其中所述方法包括：

接收读取命令和读取地址；

读取所述读取地址的存储位中耦合的至少两个存储器单元的状态；以及

对从所述至少两个存储器单元读取出的至少两个状态执行与运算，以获得所述读取地址中所存储的数据。

10.一种读取和写入非易失性存储器的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括第一存储器阵列和第二存储器阵列，所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列中的每个存储器阵列包括多个存储位，所述多个存储位中的每个存储位对应于一个地址；

其中所述方法包括：

接收读取命令和读取地址；

读取所述第一存储器阵列的所述读取地址的存储位的状态；

读取所述第二存储器阵列的所述读取地址的存储位的状态；以及

对从所述读取地址的两个存储位读取出的状态执行与运算，以获得所述读取地址中所存储的数据。