[发明专利]用于PVD溅射腔室的可偏压式通量优化器/准直器

权利要求书

1.一种准直器组件，所述准直器组件包括：

准直器部分，所述准直器部分包括：

主体结构，所述主体结构具有限定并分开多个第一孔隙和多个第二孔隙中的各个孔隙的壁，所述主体结构包括：

第一区域，所述第一区域具有所述多个第一孔隙，所述多个第一孔隙具有第一深宽比；和

设置在所述第一区域的径向外侧的第二区域，所述第二区域具有所述多个第二孔隙，所述多个第二孔隙具有第二深宽比，所述第一深宽比不同于所述第二深宽比，并且设置在所述第一区域中的所述第一孔隙的数量大于设置在所述第二区域中的所述第二孔隙的数量。

2.根据权利要求1所述的准直器组件，进一步包括第三区域，所述第三区域具有多个第三孔隙，其中所述第三区域径向设置在所述第一区域和所述第二区域之间。

3.根据权利要求2所述的准直器组件，其中所述多个第一孔隙中的各个孔隙包括六边形。

4.根据权利要求3所述的准直器组件，其中所述多个第三孔隙的所述壁形成圆锥形状。

5.根据权利要求1所述的准直器组件，其中所述多个第一孔隙的所述第一深宽比为从约2.5:1至约3:1。

6.根据权利要求2所述的准直器组件，其中所述多个第二孔隙的所述第二深宽比为从约1:1至约2:1。

7.根据权利要求1所述的准直器组件，进一步包括：

遮蔽部分，所述遮蔽部分与所述准直器部分耦接，所述遮蔽部分包括：

顶环；

支撑凸缘，所述支撑凸缘位于所述顶环下方，所述支撑凸缘径向向外延伸；以及

圆柱形带，所述圆柱形带从所述支撑凸缘向下延伸到所述主体结构下方的高度处，其中所述圆柱形带包括：

第一基本竖直部分；以及

径向向内倾斜部分，从所述第一基本竖直部分向下延伸，其中所述径向向内倾斜部分从所述第一基本竖直部分向下延伸，其中所述径向向内倾斜部分跨所述第二区域中的所述多个第二孔隙的一部分延伸。

8.根据权利要求7所述的准直器组件，其中所述准直器组件是可偏压的，并且所述第一基本竖直部分的尺寸和形状被设置为使得所述第一基本竖直部分被处理腔室的导电凸缘支撑并耦接至所述导电凸缘，所述导电凸缘用于向所述第一基本竖直部分提供偏压电位。

9.一种基板处理腔室，所述基板处理腔室包括：

溅射靶，设置在腔室主体内；

可偏压准直器组件，用于包围溅射靶，所述可偏压准直器组件包括：

准直器，所述准直器包括：

主体结构，所述主体状结构具有限定并分开孔隙的纹理化壁，其中所述孔隙包括：

中心区域，具有多个第一孔隙，所述多个第一孔隙具有第一深宽比；

外周边区域，位于所述中心区域的径向外侧，所述外周边区域具有多个第二孔隙，所述多个第二孔隙具有第二深宽比，其中所述第二深宽比小于所述第一深宽比，并且设置在所述中心区域中的所述第一孔隙的数量大于设置在周边区域中的所述第二孔隙的数量。

10.根据权利要求9所述的基板处理腔室，其中所述准直器组件进一步包括遮蔽部分，所述遮蔽部分与所述准直器耦接，所述遮蔽部分包括：

顶环；

支撑凸缘，所述支撑凸缘位于所述顶环下方，所述支撑凸缘径向向外延伸；以及

圆柱形带，所述圆柱形带从所述支撑凸缘向下延伸到所述主体结构下方的高度处，其中所述圆柱形带包括：

第一基本竖直部分；以及

径向向内倾斜部分，从所述第一基本竖直部分向下延伸，其中所述径向向内倾斜部分从所述第一基本竖直部分向下延伸，其中所述径向向内倾斜部分跨所述周边区域中的所述多个第二孔隙的一部分延伸。

11.根据权利要求10所述的基板处理腔室，进一步包括导电凸缘，所述导电凸缘被构造成耦接至准直器电源，其中所述准直器组件被所述导电凸缘支撑并耦接至所述导电凸缘。