[发明专利]一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路在审
| 申请号: | 202010728730.9 | 申请日: | 2020-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN113890363A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
| 发明(设计)人: | 李迪伽;李加取;焦岩浩;李圣艺;侯园 | 申请(专利权)人: | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H03K17/567 |
| 代理公司: | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人: | 张广兴 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 隔离 驱动 信号 传输 电路 | ||
本发明提出一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路,包括:隔离变压器、PWM信号高频调制电路、PWM信号功率放大电路、次级电源电路、PWM信号解调电路,PWM信号高频调制电路连接在隔离变压器的原边,PWM信号功率放大电路连接PWM信号高频调制电路,次级电源电路连接在隔离变压器的副边;其输出一个电压V和一个符合预设值的电压VCC;PWM信号解调电路其连接次级电源电路,电压VCC给PWM信号解调电路进行供电,并将电压V还原出来并对外输出PWM驱动信号。本发明提出的IGBT磁隔离驱动信号传输电路可以将PWM信号和功率都在一个变压器中进行传输,无需额外配置隔离电源来为驱动电路供电。
技术领域
本发明涉及电路领域,尤其是一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路。
背景技术
高压IGBT或MOS管驱动时,为了保护数字信号电路及减少干扰,会采用隔离驱动方式来驱动IGBT或MOS管,通常有三种隔离方式,分别为光耦隔离、磁隔离、电容隔离。其中磁隔离有两种方式,一种是磁耦合隔离,一种是载波式隔离。
磁耦合隔离方式采用正激变换脉冲变压器隔离驱动信号,变压器次级的输出直接驱动绝缘栅器件,这种方法很简单,也不需要单独的驱动电源,其缺点是:①输出波形失真较大,减小失真的办法是将初级的输入信号改为具有一定功率的大信号,因此相应脉冲变压器体积也增大,在大功率下,驱动输出仍满足实际的需求。②当占空比变化较大时,输出驱动脉冲的正负幅值变化太大,会导致工作不正常(比如不能工作在100%占空比状态),因此只适用于占空比变化不大的场合。
第二种载波隔离通过远高于PWM频率的载波对PWM进行调制,传输到隔离输出端,然后再经过解调电路解调还原出PWM波形,最后经过功率放大来驱动IGBT或MOS管。但目前这种方法大多只能在一个隔离变压器上传输信号,不能同时传输功率,因此需要额外配置隔离电源来为解调电路,放大电路进行供电。
光耦隔离和电容隔离的主要问题也如载波隔离方式一样,需要额外配置隔离电源来为驱动电路供电。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路。
本发明通过以下技术方案实现的:
本发明提出一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路,所述IGBT磁隔离驱动信号传输电路包括:
隔离变压器;
PWM信号高频调制电路,连接在隔离变压器的原边,其包括两组推挽放大电路;
PWM信号功率放大电路,其连接PWM信号高频调制电路,其利用PWM信号调制出一个电源电压,该电源电压用于为PWM信号高频调制电路的两组推挽放大电路进行供电;
次级电源电路,连接在隔离变压器的副边;其将隔离变压器的副边输出的交流电压进行整流后,输出一个电压V,然后再进行稳压,并输出一个符合预设值的电压VCC;
PWM信号解调电路,其连接次级电源电路,电压VCC给PWM信号解调电路进行供电,PWM信号解调电路将电压V还原出来并对外输出PWM驱动信号。
进一步的,PWM信号功率放大电路包括VDD1电压、VDD2电压、反相器A、PMOS管QA0、二极管DA1、电阻RA3;
其中,反相器A的第1脚接入PWM信号,反相器A的第2脚接PMOS管QA0的G极,VDD1电压接入PMOS管QA0的S极,VDD2电压通过二极管DA1接PMOS管QA0的D极,VDD1电压和PMOS管QA0的G极之间还接入电阻RA3。
进一步的,其中,VDD1电压大于VDD2电压,PWM信号通过反相器A驱动PMOS管QA0的开通和关断。
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