[发明专利]一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路

权利要求书

1.一种IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，所述IGBT磁隔离驱动信号传输电路包括：

隔离变压器；

PWM信号高频调制电路，连接在隔离变压器的原边，其包括两组推挽放大电路；

PWM信号功率放大电路，其连接PWM信号高频调制电路，其利用PWM信号调制出一个电源电压，该电源电压用于为PWM信号高频调制电路的两组推挽放大电路进行供电；

次级电源电路，连接在隔离变压器的副边；其将隔离变压器的副边输出的交流电压进行整流后，输出一个电压V，然后再进行稳压，并输出一个符合预设值的电压VCC；

PWM信号解调电路，其连接次级电源电路，电压VCC给PWM信号解调电路进行供电，PWM信号解调电路将电压V还原出来并对外输出PWM驱动信号。

2.根据权利要求1所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，PWM信号功率放大电路包括VDD1电压、VDD2电压、反相器A、PMOS管QA0、二极管DA1、电阻RA3；

其中，反相器A的第1脚接入PWM信号，反相器A的第2脚接PMOS管QA0的G极，VDD1电压接入PMOS管QA0的S极，VDD2电压通过二极管DA1接PMOS管QA0的D极，VDD1电压和PMOS管QA0的G极之间还接入电阻RA3。

3.根据权利要求2所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，其中，VDD1电压大于VDD2电压，PWM信号通过反相器A驱动PMOS管QA0的开通和关断。

4.根据权利要求3所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，当PWM信号的为高电平时，PMOS管QA0开通，VDD1电压通过PMOS管QA0为PWM信号高频调制电路中的两组推挽放大电路供电，同二极管DA1截止，VDD2电压被阻断；当PWM信号的为低电平时，PMOS管QA0关断，VDD2电压通过二极管DA1为PWM信号高频调制电路中的两组推挽放大电路供电。

5.根据权利要求1所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，PWM信号高频调制电路还输入一个频率高于PWM信号的方波信号，方波信号分为两路，一路直接驱动第一组推挽放大电路，另一路经反相后驱动第二组推挽放大电路，使两组推挽放大电路交错工作，以此PWM信号高频调制电路将PWM信号功率放大电路输出的电源电压波形调制成高频方波，将此高频方波通过隔离变压器传输到次级电源电路。

6.根据权利要求5所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，其中，第一组推挽放大电路包括三极管QA1、三极管QA2，方波信号通过隔离电阻RA1分别连接三极管QA1的基极、三极管QA2的基极，三极管QA1的集电极接PWM信号功率放大电路输出的电源电压，三极管QA2的集电极接地，三极管QA1的发射极、三极管QA2的发射极通过电容CA1连接隔离变压器的原边；

第二组推挽放大电路包括三极管QA3、三极管QA4，方波信号通过反相器B、隔离电阻RA1分别连接三极管QA3的基极、三极管QA4的基极，三极管QA3的集电极接PWM信号功率放大电路输出的电源电压，三极管QA4的集电极接地，三极管QA3的发射极、三极管QA4的发射极连接隔离变压器的原边。

7.根据权利要求1所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，次级电源电路包括全桥整流电路和线性稳压电路，隔离变压器的副边连接全桥整流电路，全桥整流电路输出的电压V分为两路，一路输入线性稳压电路，另一路输入PWM信号解调电路，线性稳压电路对电压V进行线性稳压并输出电压VCC。

8.根据权利要求7所述的IGBT磁隔离驱动信号传输电路，其特征在于，全桥整流电路由两个二极管DB1、两个二极管DB2构成；线性稳压电路包括三极管QB1、电阻RB1、二极管ZB1、电容CB1、三极管QB1的集电极输入电压V，电压V还通过电阻RB1、二极管ZB1接地，同时三极管QB1的基极接二极管ZB1，三极管QB1的发射极通过电容CB1接地，同时极管QB1的发射极输出电压VCC。