[发明专利]一种基于单细胞起源的番木瓜高效植株再生方法有效
| 申请号: | 202010725783.5 | 申请日: | 2020-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN111771724B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 魏岳荣;周陈平;杨护;杨敏;邝瑞彬;黄炳雄 | 申请(专利权)人: | 广东省农业科学院果树研究所 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 | 代理人: | 江莉莉 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 单细胞 起源 番木瓜 高效 植株 再生 方法 | ||
1.一种基于单细胞起源的番木瓜植株高效再生方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)胚性愈伤组织诱导和增殖培养
取未成熟种子剥除外层种壳,剔除未成熟幼胚种皮,获得所需外植体;随后将所述外植体未成熟幼胚置于愈伤组织诱导固体培养基MI中进行诱导培养,得到松散易碎的浅黄色胚性愈伤组织;并将所述胚性愈伤组织继续进行继代培养,得到增殖的胚性愈伤组织;
所述愈伤组织诱导固体培养基MI为如下组分:1/2 MS培养基、2-4mg/L 2,4-D、400mg/L谷氨酰胺、50-70g/L蔗糖、5-10g/L琼脂粉,调pH5.5-6.0;
(2)均质胚性细胞悬浮系的建立
取增殖后的胚性愈伤组织置于愈伤组织增殖液体培养基ML中进行液体悬浮培养,并在每个继代周期培养结束后滤除较大颗粒培养物;随后继续进行重复液体悬浮继代培养和筛选,直到得到均质胚性细胞悬浮系;
所述愈伤组织增殖液体培养基ML为如下组分:1/2 MS培养基、2-4mg/L 2,4-D、350-450mg/L谷氨酰胺、50-70g/L蔗糖,调pH5.0-5.5;
(3)体细胞胚的诱导和成熟培养
取得到的均质胚性悬浮细胞置于体细胞胚诱导培养基MSD1中进行体细胞胚诱导培养,并于体细胞成熟培养基MSD2进行成熟培养,得到成熟体细胞胚;
所述体细胞胚诱导培养基MSD1为如下成分:1/2MS大量元素和微量元素及其铁盐、MS维生素、40-60mg/L肌醇、300-500mg/L谷氨酰胺、25-35g/L蔗糖,调pH5.0-5.5;
所述体细胞成熟培养基MSD2为如下成分:1/2MS大量元素和微量元素及其铁盐、MS维生素、40-60mg/L肌醇、300-500mg/L谷氨酰胺、25-35g/L蔗糖、8-12g/L活性炭、5-10g/L琼脂粉,调pH5.5-6.0;
(4)体细胞胚的萌发、生根和植株再生
取得到的成熟体细胞胚置于萌发培养基MG中进行萌发和生根培养,进一步并将萌发和生根后的小植株转移至成苗培养基MR中发育得到完整的小植株;
所述萌发培养基MG为如下成分:MS大量元素、微量元素、铁盐及其维生素、0.1-0.2mg/L6-BA、0.1-0.2mg/L NAA、300-500mg/L谷氨酰胺、4-6g/L活性炭、20-40mgl/L蔗糖、5-10g/L琼脂粉,调pH5.5-6.0;
所述成苗培养基MR为如下成分:1/2MS大量元素、微量元素、铁盐及其维生素、0.05-0.1mg/L 6-BA、1-2mg/L IBA、4-6g/L活性炭、25-35mgl/L蔗糖、5-10g/L琼脂粉,调pH5.5-6.0;
所述的MS培养基成分为:
大量元素:1650mg/L NH4NO3,1900mg/L KNO3,170mg/L KH2PO4,370mg/L MgSO4,440mg/LCaCL2·2H2O;
微量元素:0.83mg/L KI,6.2mg/L H3BO3,22.3mg/L MnSO4·H2O,10.6mg/L ZnSO4 ·H2O ,0.25mg/L Na2MoO4·2H2O,0.025mg/L CuSO4·5H2O,0.025mg/L CoCL2·6H2O;
有机物:0.5mg/L烟酸,0.5mg/L盐酸吡哆醇,0.1mg/L盐酸硫胺素,2.0mg/L甘氨酸;铁盐:27.8mg/L FeSO4 · 7H2O ,37.3mg/L Na2·EDTA;
所述步骤(1)中:
所述未成熟种子指开花坐果后发育90-120天果实的种子;
所述诱导培养步骤中,控制反应过程为暗培养,培养温度为28±1℃,培养时间60-90天;
所述继代培养步骤中,控制反应过程为暗培养,培养温度为28±1℃,以30天为一个继代周期,继代培养2-3个周期;
所述步骤(2)中:
所述液体悬浮培养步骤中,第一个继代周期控制反应过程为暗培养,培养温度为28±1℃,培养时间为2周,使用800-1000μm孔径的筛网滤除较大颗粒培养物;
所述液体悬浮均质筛选和继代培养步骤中,控制反应过程为暗培养,培养温度为28±1℃,以21天为一个继代周期,使用160-160μm孔径的筛网滤除较大细胞团,继代培养3-5个继代周期。
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