[发明专利]一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法

权利要求书

1.一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)一次沉积：采用CVD法将取向为(100)、尺寸为a×a×b的单晶金刚石籽晶沿b方向生长，生长完成后进行抛光处理，使抛光后的高度达到a，再沿单晶金刚石侧面的对角线将单晶金刚石切割成两半，形成两个切割面取向为(110)、尺寸为的等腰三角柱体单晶金刚石；

2)二次沉积：将得到的等腰三角柱体单晶金刚石作为籽晶，切割面进行抛光，放入含有V型凹槽的钼托中，将抛光面朝上进行金刚石的同质外延生长，使抛光后的单晶金刚石生长高度达到取出生长完成的单晶金刚石，沿生长后单晶金刚石上方的正方体底部以及其侧面对角线，将单晶金刚石切割成三个等腰三角柱体单晶金刚石，包括一个原始的尺寸为的小等腰三角柱体单晶金刚石和两个切割面为(100)取向、尺寸为2a×a的大等腰三角柱体单晶金刚石；

3)三次沉积：将得到的大等腰三角柱体单晶金刚石的切割面抛光后，放入含有V型凹槽的钼托中，将抛光面朝上进行金刚石的同质外延生长，使抛光后的单晶金刚石生长高度达到h，其中ha，取出生长完成的单晶金刚石，将原始的大等腰三角柱体单晶金刚石切除后，获得取向为(100)、尺寸为2a×h×a的长方体单晶金刚石，沿平行于2a×h面的方向将长方体单晶金刚石切割并抛光，即获得多片取向为(100)、尺寸为2a×h的单晶金刚石籽晶。

2.根据权利要求1所述的一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于：在三次沉积过程中，当h＝2a时，生长切割后可获得多片取向为(100)、生长面为正方形、尺寸为2a×2a的单晶金刚石籽晶。

3.根据权利要求1或2所述的一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于：在一次沉积过程中，所用的单晶金刚石籽晶为天然金刚石、CVD法合成的金刚石或高温高压合成的金刚石。

4.根据权利要求1或2所述的一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于：在二次沉积过程中，切割后得到的原始的尺寸为的小等腰三角柱体单晶金刚石可再次用于二次沉积。

5.根据权利要求1或2所述的一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于：三次沉积后切割掉的大等腰三角柱体单晶金刚石可再次用于三次沉积。

6.根据权利要求1或2所述的一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法，其特征在于：三次沉积后获得的取向为(100)、尺寸为2a×h大尺寸单晶金刚石籽晶，可用于大尺寸单晶金刚石的同质外延生长。