[发明专利]等离子体处理装置和控制方法

说明书

本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置和控制方法。

背景技术

已知一种通过在处理容器的壁面设置从处理容器的壁面向处理容器的径向的内侧突出的探针、来监视在处理容器的内部生成的等离子体的电子密度和电子温度中的至少任一个的技术(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-181633号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够监视等离子体的状态的技术。

用于解决问题的方案

基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。

发明的效果

根据本公开，能够监视等离子体的状态。

附图说明

图1是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置的纵截面的一例的图。

图2是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置的顶板的内壁的一例的图。

图3是表示一个实施方式的微波等离子体源的一例的图。

图4是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的一例的图。

图5是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的其它例的图。

图6是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的另一其它例的图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本公开的非限定性的、例示的实施方式。在所附的所有附图中，对相同或者对应的构件或部件标注相同或对应的参照标记，并省略重复的说明。

〔微波等离子体处理装置〕

图1是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置100的纵截面的一例的图。微波等离子体处理装置100具有用于收容半导体晶圆(下面称作“晶圆W”。)的腔室1。微波等离子体处理装置100为利用通过微波形成于腔室1侧的表面的表面波等离子体、来对晶圆W进行规定的等离子体处理的等离子体处理装置的一例。作为规定的等离子体处理的一例，例示成膜处理或蚀刻处理。

腔室1为气密地构成的大致圆筒状的处理容器，由铝或不锈钢等金属材料形成，腔室1接地。微波等离子体源2被设置为从形成于腔室1的顶板的内壁的开口部1a面向腔室1的内部。当从微波等离子体源2通过开口部1a向腔室1内导入微波时，在腔室1内形成表面波等离子体。