[发明专利]等离子体处理装置和控制方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

处理容器，其具有形成有开口部的顶板；

具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；

微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及

等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体检测部对所述圆环状构件施加交流电压并测定流向该圆环状构件的电流，由此检测所述等离子体的状态。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件被埋入支承于所述顶板的绝缘构件。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件为膜状或网状。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件支承于所述顶板。

6.根据权利要求1、2或5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件由金属材料形成，在该金属材料的表面形成有绝缘膜。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件的下表面位于比所述顶板的下表面靠上方的位置。

8.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述圆环状构件的下表面与所述顶板的下表面处于相同的高度或大致相同的高度。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体的状态包括等离子体的电子密度、电子温度中的至少任一个。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具备控制部，所述控制部基于在进行等离子体处理时由所述等离子体检测部检测出的所述等离子体的状态，来控制所述等离子体处理的条件。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体处理的条件包括所述微波的输出。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述顶板形成有多个所述开口部，

所述圆环状构件以与所述顶板绝缘的状态设置于多个所述开口部的各个开口部，

所述等离子体检测部通过测定流向多个所述圆环状构件的各个圆环状构件的电流，来检测与多个所述圆环状构件的各个圆环状构件对应的所述等离子体的状态，探测所述等离子体的状态的面内分布的变动。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，

沿所述顶板的周向配置有多个所述开口部。

14.一种控制方法，是使用等离子体处理装置来控制等离子体的方法，所述等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态，

所述控制方法的特征在于，

基于在进行等离子体处理时由所述等离子体检测部检测出的所述等离子体的状态，来控制所述等离子体处理的条件。