[发明专利]字线电容平衡

说明书

本申请案涉及字线电容平衡。一种存储器装置可包含一组存储器区块，其中一或多个存储器区块可位于所述组的边界处。每一边界存储器区块可具有与驱动器及存储器单元子阵列耦合的字线，且还可包含与所述驱动器耦合的负载平衡组件(例如电容性组件)。在一些实例中，所述负载平衡组件可与所述驱动器的输出线(例如字线)或所述驱动器的输入(例如提供源信号的线)耦合。所述负载平衡组件可使从所述驱动器输出的负载适应所述存储器单元子阵列，使得所述边界处的所述存储器区块的所述负载可类似于不在所述边界处的其它存储器区块的所述负载。

交叉参考

本专利申请案主张由维拉(Villa)等人于2019年7月22日申请的标题为“字线电容平衡(WORDLINE CAPACITANCE BALANCING)”的第16/518,824号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人且其全部内容以引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及字线电容平衡。

背景技术

下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，且更特定来说，涉及字线电容平衡。

存储器装置被广泛用于在例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。通过对存储器装置的不同状态编程来存储信息。举例来说，二进制装置最常存储两种状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两种以上状态。为存取存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如FeRAM)可长时间维持其存储逻辑状态，即使缺少外部电源。易失性存储器装置(例如DRAM)会在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。FeRAM能够实现类似于易失性存储器的密度，但由于使用铁电电容器作为存储装置，因此可具有非易失性。

针对一些存储器装置，存储器单元子阵列(例如存储器区块)可经布置使得一些存储器区块的电路系统经历不同于其它存储器区块的电路系统的负载。跨越相应存储器区块的此不一致负载会导致较高错误率及其它问题。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含：存储器区块，其位于多个存储器区块的边界处且包括存储器单元阵列；字线，其与所述存储器单元阵列及驱动器耦合，所述字线与总电容性负载相关联；及电容性组件，其与所述驱动器耦合以使从所述驱动器输出的负载适应所述存储器单元阵列，所述负载包括所述总电容性负载的至少一部分。

描述另一种设备。所述设备可包含：第一线，其与驱动器的输入耦合；第二线，其与所述驱动器的输出耦合，所述第二线与总电容性负载相关联；多个存储器单元，其与所述第二线耦合；及电容性组件，其与所述第二线耦合，所述电容性组件使从所述驱动器输出的负载适应所述多个存储器单元，所述负载包括所述总电容性负载的至少一部分。

描述另一种设备。所述设备可包含：存储器阵列的多个存储器区块，其中所述多个存储器区块中的第一存储器区块经配置为与所述存储器阵列中的两个其它存储器区块共享电连接的第一类型的存储器区块，且其中所述多个存储器区块中的第二存储器区块经配置为与所述存储器阵列中的一个其它存储器区块共享电连接的第二类型的存储器区块；及电容性组件，其使总电容性负载的至少一部分适应所述第二存储器区块。

附图说明

图1说明根据本文中揭示的实例的支持字线电容平衡的系统的实例。

图2说明根据本文中揭示的实例的支持字线电容平衡的存储器裸片的实例。