[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010675233.7 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN112510063A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张庆树;郑镇九;郑泽周;崔凡洛 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
提供了一种显示设备。所述显示设备包括显示区域和传感器区域,显示区域包括主像素,并且传感器区域包括辅助像素和透射区域,其中,所述显示设备包括:基底;多个显示元件,包括在主像素中的每个和辅助像素中的每个中;第一堆叠结构,与所述多个显示元件叠置;第二堆叠结构,与透射区域叠置;以及薄膜封装层,覆盖第一堆叠结构和第二堆叠结构,其中,第一堆叠结构具有与第二堆叠结构的厚度不同的厚度。
本申请要求于2019年9月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0113523号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备可以通过使用像素来显示图像。显示设备可以包括在其前表面(例如,显示图像的表面)上的边框(或边界)中的红外线传感器,并且可以通过使用红外线传感器来识别对象。
另外,随着显示设备中的边框的宽度减小,用户的眼睛可以被固定或聚焦在图像(或显示设备的屏幕)上。近来,已经进行了对正面显示技术的研究,以从显示设备的前表面去除边框,对位于前表面(或边框)中的红外线传感器进行重新定位,并在显示设备的整个前表面上显示图像。
发明内容
一个或更多个实施例提供了一种在显示区域中具有透光部分的显示设备。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过该描述而明显,或者可以通过实践公开的提出的实施例来获知。
根据实施例,一种显示设备包括显示区域和传感器区域,显示区域包括主像素,并且传感器区域包括辅助像素和透射区域,该显示设备包括:基底;多个显示元件,包括在主像素中的每个和辅助像素中的每个中;第一堆叠结构,与所述多个显示元件叠置;第二堆叠结构,与透射区域叠置;以及薄膜封装层,覆盖第一堆叠结构和第二堆叠结构,其中,第一堆叠结构具有与第二堆叠结构的厚度不同的厚度。
第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个可以包括盖层和设置在盖层上的光提取层,薄膜封装层设置在光提取层上并且包括第一无机封装层,并且光提取层的折射率小于盖层的折射率和第一无机封装层的折射率。
盖层可以包括:第一盖区域,设置在透射区域中;以及第二盖区域,设置在所述多个显示元件之上,并且第一盖区域可以具有比第二盖区域的厚度大的厚度。
第一盖区域的厚度可以大于或等于第二盖区域的厚度的1.1倍且小于或等于第二盖区域的厚度的10倍。
光提取层可以包括:第一光提取区域,设置在透射区域中;以及第二光提取区域,设置在所述多个显示元件之上,并且第一光提取区域可以具有比第二光提取区域的厚度大的厚度。
光提取层可以包括:第一光提取区域,设置在透射区域中;以及第二光提取区域,设置在所述多个显示元件之上,并且第一光提取区域可以具有比第二光提取区域的厚度大的厚度。
第一光提取区域的厚度可以是第二光提取区域的厚度的约2倍至约10倍。
盖层的折射率与光提取层的折射率之间的差可以大于或等于约0.5,并且第一无机封装层的折射率与光提取层的折射率之间的差可以大于或等于约0.46。
光提取层可以包括:第一光提取区域,设置在透射区域中;以及第二光提取区域,设置在所述多个显示元件之上,第一盖区域的厚度可以大于或等于约90nm且小于或等于约150nm,第二盖区域的厚度可以大于或等于约60nm且小于或等于约85nm,第一光提取区域的厚度可以大于或等于约50nm且小于或等于约220nm,并且第二光提取区域的厚度可以大于或等于约10nm且小于或等于约40nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的