[发明专利]压电产生装置及其制作方法、微机电系统有效
申请号: | 202010645796.1 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN111682100B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 初宝进;田冬霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/083;H01L41/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 产生 装置 及其 制作方法 微机 系统 | ||
本申请实施例公开了一种压电产生装置及其制作方法、微机电系统,该压电产生装置中的压电元件包括硅衬底和第一金属电极,其中,所述硅衬底的第一表面具有与空气接触形成的第一压电层,该压电元件在受到作用力,产生形变时,可以产生电荷。而且,该压电产生装置的压电元件在制作时,只需先使所述硅衬底的第一表面与空气接触形成第一压电层,再在该第一电压层表面形成第一金属电极即可,结构和制作工艺简单,从而可以简化具有该压电元件的压电产生装置的制备工艺,进而简化具有该压电产生装置的微机电系统MEMS的制备工艺。
技术领域
本申请涉及压电技术领域,尤其涉及一种压电产生装置及其制作方法以及一种微机电系统。
背景技术
微机电系统(即Micro-Electro-Mechanical System,简称MEMS)是指尺寸在微米甚至纳米级别的高科技器件,这种高科技器件已经有十多年的历史。随着科技的发展,人们对空间利用的要求越来越高,小而精的电子器件已然成为一种主流追求,驱动着微机电系统MEMS向着更小的尺寸以及更高的集成密度,以及具有快速响应和更大的驱动的方向发展。具体的,在微机电系统MEMS里,静电、磁致伸缩、热和压电等方法都可以使微机电系统MEMS产生驱动。
由于利用压电方法产生驱动的微机电系统MEMS不仅具有温度和频率稳定性极好、噪音低和具有宽动态范围的优势,还可在振动器上收集能量,以及在低驱动电压下就获得大的集成密度等优势,因此,如何在微机电系统MEMS中利用压电响应产生驱动,成为本领域技术人员的研究热点。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种压电产生装置,该压电产生装置中的压电产生元件在受到作用力,产生形变时,能够产生电荷,从而使得包括该压电产生装置的微机电系统具有压电响应特性,可以利用压电响应产生驱动。
为解决上述问题,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种压电产生装置,包括:
硅衬底,所述硅衬底的第一表面具有与空气接触形成的第一压电层;
位于所述第一压电层背离所述硅衬底一侧的第一金属电极,所述第一金属电极与所述硅衬底之间具有第一绝缘区。
可选的,如果所述硅衬底为N型硅衬底,所述第一金属电极的功函数大于所述硅衬底的功函数,以在所述硅衬底与所述第一压电层之间形成第一绝缘区;
如果所述硅衬底为P型硅衬底,所述第一金属电极的功函数小于所述硅衬底的功函数,以在所述硅衬底与所述第一压电层之间形成第一绝缘区。
可选的,所述第一压电层与所述第一金属电极之间还形成有第一绝缘层。
可选的,所述硅衬底的第二表面具有与空气接触形成的第二压电层,所述第二表面与所述第一表面相对;
所述压电元件还包括:
位于所述第二压电层背离所述硅衬底一侧的第二金属电极,所述第二金属电极与所述硅衬底之间具有第二绝缘区。
可选的,如果所述硅衬底为N型硅衬底,所述第二金属电极的功函数大于所述硅衬底的功函数,以在所述硅衬底与所述第二压电层之间形成第二绝缘区;
如果所述硅衬底为P型硅衬底,所述第二金属电极的功函数小于所述硅衬底的功函数,以在所述硅衬底与所述第二压电层之间形成第二绝缘区。
可选的,所述第二压电层与所述第二金属电极之间还形成有第二绝缘层。一种压电产生装置的制作方法,包括:
提供硅衬底,所述硅衬底的第一表面具有与空气接触形成的第一压电层;
在所述第一压电层背离所述硅衬底一侧形成第一金属电极,所述第一金属电极与所述硅衬底之间具有第一绝缘区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010645796.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。