[发明专利]可实时检测机械微颗粒的半导体工艺设备及方法

权利要求书

1.一种可实时检测机械微颗粒的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括：中转腔室、传送腔室、工艺腔室、第一机械手臂、第二机械手臂、供气模块、排气模块、控制模块、第一压力计、第二压力计、光学检测模块、信号处理模块及报警模块；所述中转腔室一端与晶圆装载台相连接，另一端与所述传送腔室相连接，所述传送腔室未与所述中转腔室相连接的一端与所述工艺腔室相连接；所述第一机械手臂位于所述晶圆装载台内，用于在晶圆盒和所述中转腔室之间传送晶圆；所述第二机械手臂位于所述传送腔室内，用于在所述中转腔室和所述工艺腔室之间传送晶圆；所述晶圆装载台和所述中转腔室之间设置有第一阀门，所述中转腔室和所述传送腔室之间设置有第二阀门，所述传送腔室和所述工艺腔室之间设置有第三阀门，所述控制模块与所述第一阀门、第二阀门及第三阀门相连接，用于控制所述第一阀门、第二阀门及第三阀门中的一个或多个的打开或闭合；所述第一压力计与所述中转腔室相连接，用于测量所述中转腔室内的压力，所述第二压力计与所述传送腔室相连接，用于测量所述传送腔室内的压力；所述供气模块和排气模块既均与所述中转腔室相连接，又均与所述传送腔室相连接；所述光学检测模块与所述排气模块的排气管路相连通，用于检测所述排气管路中的颗粒数；所述信号处理模块与所述控制模块、第一压力计、第二压力计及光学检测模块相连接，用于根据所述光学检测模块的检测结果、所述控制模块的控制时点、第一压力计和第二压力计的检测结果判断所述中转腔室和传送腔室内的机械微颗粒污染情况，其中，所述控制时点是指第一阀门、第二阀门和第三阀门的打开和关闭情况；所述报警模块与所述信号处理模块相连接，用于在检测到所述中转腔室和/或传送腔室内的机械微颗粒污染情况超过标准值时触发报警，所述报警模块为具有通信功能的报警器，以在检测到所述中转腔室和/或传送腔室内的机械微颗粒污染情况超过标准值时推送报警信息到电子设备上；

所述排气管路包括主管路和支路，所述支路的管径小于所述主管路的管径；所述主管路一端与所述中转腔室的排气模块及所述传送腔室的排气模块相连接，另一端与真空泵相连接；所述支路的两端与所述主管路相连接，所述光学检测模块连接于所述支路上，所述支路上设置有隔离阀，所述隔离阀位于所述光学检测模块的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于：所述排气模块包括第一排气模块和第二排气模块，所述第一排气模块与所述中转腔室相连接，所述第二排气模块与所述传送腔室相连接；所述光学检测模块包括第一光学检测模块及第二光学检测模块，所述第一光学检测模块与所述第一排气模块的第一排气管路相连通，所述第二光学检测模块与所述第二排气模块的第二排气管路相连通。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于：所述第一排气模块和所述第二排气模块连接到同一真空泵。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于：所述工艺腔室包括CVD腔室、PVD腔室、退火腔室及刻蚀腔室中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于：所述工艺腔室包括多个，多个工艺腔室与同一所述传送腔室相连接。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于：所述信号处理模块基于所述控制模块的控制时点、所述第一压力计、第二压力计的检测结果得到所述排气管路中的排气流速，基于不同的排气流速将所述光学检测模块检测到的颗粒数进行转换以和所述信号处理模块内预存的多个标准值进行比对，以判断所述中转腔室和传送腔室内的机械微颗粒污染情况。

7.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法基于权利要求1-6任一项所述的可实时检测机械微颗粒的半导体工艺设备实现对机械微颗粒的实时在线检测。