[发明专利]脆性材料基板的切断方法在审
申请号: | 202010629260.0 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN112309971A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 田村健太;武田真和;市川克则 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;C03B33/023;C03B33/033 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 脆性 材料 切断 方法 | ||
1.一种脆性材料基板的切断方法,其是沿着预先确定的切断预定位置将脆性材料基板切断为小尺寸单片和尺寸比所述小尺寸单片大的大尺寸单片的方法,所述脆性材料基板的切断方法的特征在于,具备:
刻划工序,在所述刻划工序中,在所述脆性材料基板的一主面侧,沿着所述切断预定位置形成刻划线,所述切断预定位置确定于包括在切断后成为所述小尺寸单片的区域和成为所述大尺寸单片的区域在内的全部区域的周围;以及
断开工序,在所述断开工序中,通过对全部断开棒抵接位置进行从所述脆性材料基板的另一主面侧在所述断开棒抵接位置以规定的压入量压入断开棒的断开动作,而将所述脆性材料基板切断为所述小尺寸单片和所述大尺寸单片,所述断开棒抵接位置至少包含所述刻划线的形成位置的上方位置,
在所述断开工序中,
(a)将所述断开棒的刀尖角(θ)设为50°~90°,
(b)将所述断开棒的刀尖前端的曲率半径(R)设为100μm~300μm,
(c)将所述压入量设为60μm~100μm,
(d)将向所述基板压入所述断开棒时的所述断开棒的下降速度设为10mm/s~100mm/s。
2.根据权利要求1所述的脆性材料基板的切断方法,其特征在于,
在所述断开工序中,在针对一个所述断开棒抵接位置的所述断开动作结束后,仅在所述断开棒抵接位置以规定间距排列的方向上的一个方向上,进行用于对下一个所述断开棒抵接位置进行所述断开动作的所述基板的移动进给。
3.根据权利要求1或2所述的脆性材料基板的切断方法,其特征在于,
在所述脆性材料基板上设置有由小尺寸图案和大尺寸图案构成的图案,所述小尺寸图案设置于在切断后成为所述小尺寸单片的区域,所述大尺寸图案设置于在切断后成为所述大尺寸单片的区域,
在所述刻划工序中,对从所述图案彼此之间露出的所述脆性材料基板形成所述刻划线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星钻石工业股份有限公司,未经三星钻石工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010629260.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造