[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法

权利要求书

1.一种铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在坩埚的底部铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；

在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，所述单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，所述单晶条的缺陷比值大于相邻所述单晶籽晶的缺陷比值；

在所述单晶籽晶层与至少一根所述单晶条上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述单晶条由以下方法制备得到：切割铸造单晶块得到头部，之后检测切割面的缺陷比值，将切割面的缺陷比值大于50％的头部切割成多根单晶条。

3.根据权利要求2所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条的操作中，所述单晶条的缺陷比值大于50％的切割面朝向相邻的单晶籽晶。

4.根据权利要求1所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述单晶条为长方体，所述单晶条的长度和高度均与相邻所述单晶籽晶的长度和高度相同，所述单晶条的宽度为5mm～40mm。

5.根据权利要求1所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，相互拼接的所述单晶条与相邻所述单晶籽晶的侧面晶向不同。

6.根据权利要求1所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述单晶条的根数为若干根，若干根所述单晶条依次首尾拼接，相互拼接的相邻两根所述单晶条的侧面晶向不同。

7.根据权利要求6所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，装硅料之前还包括以下步骤：

在所述单晶条的四周填充硅基浆料，所述硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

8.根据权利要求7所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述氮化硅与硅粉的混合浆料中，所述氮化硅与所述硅粉的质量比为(2～10)：1。

9.根据权利要求7所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述硅基填充条的高度与所述单晶籽晶的高度的比值为(5～7)：10。

10.一种铸造单晶硅锭，其特征在于，由权利要求1～9中任一项所述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到。