[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

下电极，形成在基底上；以及

上支撑结构，被构造为支撑下电极，上支撑结构围绕下电极设置，

其中，上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极，并且在与基底平行的横向方向上延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间，并且具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案的在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案具有倾斜侧壁，倾斜侧壁位于与下电极分开并与下电极相对的位置，上间隔件支撑图案位于倾斜侧壁与下电极之间，并且

上支撑图案的倾斜侧壁沿朝向基底的方向在横向方向上变得更靠近下电极。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上间隔件支撑图案具有与下电极同心地布置并围绕下电极的上端的环形形状。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上间隔件支撑图案包括具有宽度沿朝向基底的方向减小的梯形剖面形状或三角形剖面形状的一部分。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上间隔件支撑图案包括碳氮化硅膜、含硼的氮化硅膜或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案和上间隔件支撑图案包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案和上间隔件支撑图案包括不同的材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案和上间隔件支撑图案包括相同的化学元素，并且

包括在上支撑图案和上间隔件支撑图案中的化学元素的含量不同。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案包括具有第一碳原子含量的碳氮化硅膜，

上间隔件支撑图案包括具有第二碳原子含量的碳氮化硅膜，并且

第二碳原子含量比第一碳原子含量高。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案具有在3.5at％至4.5at％的范围内选择的第一碳原子含量，并且

上间隔件支撑图案具有在4.5at％至5.5at％的范围内选择的且比第一碳原子含量高的第二碳原子含量。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案具有第一密度，并且

上间隔件支撑图案具有第二密度，第二密度比第一密度低。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

上支撑图案具有：顶表面，包括在远离基底的方向上凸出弯曲的表面；以及底表面，包括在朝向基底的方向上凸出弯曲的表面。

13.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

多个下电极，布置在基底上，并且彼此间隔开；

上支撑图案，在与基底平行的横向方向上延伸，上支撑图案具有所述多个下电极所穿过的多个孔；以及

多个上间隔件支撑图案，以一对一的方式布置在所述多个孔内部，并且

所述多个上间隔件支撑图案中的每个上间隔件支撑图案包括与上支撑图案接触的外侧壁和与所述多个下电极中的对应的一个下电极接触的内侧壁，并且具有在横向方向上沿朝向基底的方向减小的宽度。