[发明专利]一种防散射栅格及其制备方法

权利要求书

1.一种防散射栅格的制备方法，其特征在于，包括：

根据每片栅格膜片与发射源的距离，计算每片栅格膜片上多个孔洞的孔间距及每个孔洞的孔径；

根据每片栅格膜片上多个孔洞的孔间距及每个孔洞的孔径，确定每片所述栅格膜片上的掩膜层的结构；

根据确定的掩膜层的结构，在每片所述栅格膜片上镀设掩膜层；

利用刻蚀方法刻蚀每片镀设掩膜层的所述栅格膜片；

将每片刻蚀后的栅格膜片按照其与发射源的距离依次进行定位粘合，得到防散射栅格；

其中，所述根据每片栅格膜片上多个孔洞的孔间距及每个孔洞的孔径，确定每片所述栅格膜片上的掩膜层的结构，具体为：

每个所述掩膜层具有与所述栅格膜片上的孔洞对应的通孔；

每片所述栅格膜片包括易过刻区域、易欠刻区域和正常刻蚀区域；

位于易过刻区域的所述通孔，其最小直径小于与其对应的孔洞的孔径，其最大直径大于等于与其对应的孔洞的孔径；

位于易欠刻区域的所述通孔，其最小直径大于等于与其对应的孔洞的孔径。

2.根据权利要求1所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述根据确定的掩膜层的结构，在每片所述栅格膜片上镀设掩膜层，具体为：

根据确定的掩膜层的结构，利用增材制造方法在每片所述栅格膜片上镀设掩膜层。

3.根据权利要求1所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述利用刻蚀方法刻蚀每片镀设掩膜层的所述栅格膜片，具体为：

利用等离子刻蚀方法刻蚀每片镀设掩膜层的所述栅格膜片。

4.根据权利要求1所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述将每片刻蚀后的栅格膜片按照其与发射源的距离依次进行定位粘合，得到防散射栅格，具体为：

采用激光准直五维调整系统，将每片刻蚀后的栅格膜片按照其与发射源的距离依次进行定位粘合，得到防散射栅格。

5.根据权利要求4所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述粘合为使用粘合剂粘合或者使用焊接方法粘合。

6.根据权利要求1~5任一项所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为金属或者复合材料。

7.根据权利要求6所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述金属为镍或铬。

8.根据权利要求6所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述复合材料由陶瓷材料与金属材料组成。

9.根据权利要求1~5任一项所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述栅格膜片的材料为钨或钽，且定位粘合后的相邻所述栅格膜片的材料相同。

10.根据权利要求1~5任一项所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，在所述根据确定的掩膜层的结构，在每片所述栅格膜片上镀设掩膜层之前，还包括：

对每片所述栅格膜片进行预处理。

11.根据权利要求10所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述预处理包括清洗及预镀金属层；

所述预镀金属层的材料为铬。

12.根据权利要求1~5任一项所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，在所述利用刻蚀方法刻蚀每片镀设掩膜层的所述栅格膜片之后，还包括：

清洗刻蚀后的每片所述栅格膜片上的残余掩膜。

13.根据权利要求12所述的防散射栅格的制备方法，其特征在于，所述清洗刻蚀后的每片所述栅格膜片上的残余掩膜，具体为：利用强酸清洗刻蚀后的每片所述栅格膜片上的残余掩膜；

相应地，

将每片经过清洗的栅格膜片按照其与发射源的距离依次进行定位粘合，得到防散射栅格。

14.一种防散射栅格，其特征在于，由权利要求1~13任一项所述的防散射栅格的制备方法制备得到。