[发明专利]铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法及铝衬底结构有效
| 申请号： | 202010560043.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111640834B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;黄家豪 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 al 组分 氮化物 材料 生长 方法 结构 | ||
1.一种铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一铝衬底，并在铝衬底上表面氮化一层多晶AlN膜层；
在所述多晶AlN膜层上沉积生长AlN成核层；
在所述AlN成核层上沉积生长AlN缓冲层；
在所述AlN缓冲层上外延生长高晶体质量的AlN膜层；
所述在铝衬底上表面氮化一层多晶AlN膜层的步骤包括：采用裂解的氨气中的氮原子与铝衬底表面的Al原子进行化学反应形成的薄膜。
2.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述铝衬底的厚度在300um至2000um。
3.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述多晶AlN膜层的厚度在1nm至200nm。
4.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述多晶AlN膜层在所述铝衬底的表面是连续的二维薄膜、或者以规则形状排列的非连续二维薄膜、或者是连续的或非连续的3维结构的薄膜。
5.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述多晶AlN膜层为多晶或者非晶的材料层。
6.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述在铝衬底上表面氮化一层多晶AlN膜层的步骤包括：
采用AlN靶材在铝衬底表面溅射形成多晶AlN膜层。
7.根据权利要求1所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述AlN成核层的厚度在3nm至300nm之间，所述AlN成核层为连续的闭合薄膜或非闭合薄膜。
8.根据权利要求7所述的铝衬底的富Al组分氮化物材料生长方法，其特征在于，所述在所述多晶AlN膜层上沉积生长AlN成核层的步骤包括：
采用溅射或溶胶凝胶合成的方式在所述多晶AlN膜层上沉积生长AlN成核层。
9.一种利用权利要求1-8任一项所述方法制备的铝衬底结构，其特征在于，包括：
一铝衬底；
一多晶AlN膜层，其设置于所述铝衬底上表面；
一AlN成核层，其沉积生长于所述多晶AlN膜层上；
一AlN缓冲层，其沉积生长于所述AlN成核层上；
一高晶体质量的AlN膜层，其设置于在所述AlN缓冲层上的外延。
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