[发明专利]一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管

权利要求书

1.一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，包括材料为n型SiC的衬底(1)，所述衬底(1)一面依次外延有缓冲层(2)、漂移区(3)、沟道扩展区(4)，所述沟道扩展区(4)上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽(8)，每个所述阳极沟槽(8)侧壁和底端均外延p+结区(5)，所述沟道扩展区(4)上最高面外延p型接触区(6)，所述p+结区(5)、p型接触区(6)上覆盖连接欧姆接触阳极(7)，所述衬底(1)另一面覆盖连接欧姆接触阴极(9)。

2.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述衬底(1)厚度为5.0μm～500μm。

3.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述缓冲层(2)掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3，厚度为0.5μm～1.0μm。

4.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述漂移区(3)掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁷cm^-3，厚度为5.0μm～200μm。

5.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述沟道扩展区(4)厚度为0.5μm～3.5μm，所述沟道扩展区(4)掺杂浓度由上表面至下表面渐变，且上表面的掺杂浓度不低于下表面的掺杂浓度，上表面掺杂浓度为2×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁸cm^-3，下表面的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～2×10¹⁶cm^-3。

6.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述p+结区(5)掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～2×10¹⁹cm^-3，结深为0.3μm～0.8μm。

7.根据权利要求1所述一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，其特征在于，所述p型接触区(6)掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁸cm^-3，厚度为1.0nm～50nm。