[发明专利]涂布系统及其校正方法

说明书

本发明公开了一种涂布系统及其校正方法，涂布系统包括多个支撑针、吸附平面以及校正盘。吸附平面位于多个支撑针之间，校正盘用以配置在多个支撑针或吸附平面上。校正盘包括圆形上部表面以及圆形底部表面。圆形底部表面相对于圆形上部表面。圆形底部表面包括圆形平面以及围绕圆形平面的承靠壁，且圆形平面的边缘和圆形底部表面的边缘同心。承靠壁用以限制多个支撑针的水平移动，且圆形平面用以覆盖吸附平面。借此，本发明的涂布系统，可以有效校正支撑针和吸附平面的位置。

技术领域

本发明是有关于一种半导体元件的制作系统及其校正方法，特别是有关于一种涂布系统及其校正方法。

背景技术

光刻技术利用光来自光罩转印几何结构至基板上的光敏化合物。一系列化学处理接着将被光阻暴露的图案蚀刻到材料中，或者使新材料以所需的图案转印在光阻下面的材料上。在复杂的集成电路制成中，光刻技术是制造半导体元件的主要技术之一。

在光照后以显影剂移除部分光阻之前，基板上的光阻层可以在涂布系统中完成。然而，在涂布制成中，移动以及转动中所产生的碰撞以及刮伤会造成基板上的刮痕，而上述刮痕会在后续例如是显影的工艺中进一步形成缺陷，进而降低半导体元件的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种涂布系统及其校正方式，可以有效校正支撑针和吸附平面的位置。

本发明一实施例的涂布系统包括多个支撑针、吸附平面以及校正盘。吸附平面位于多个支撑针之间，校正盘用以配置在多个支撑针或吸附平面上。校正盘包括圆形上部表面以及圆形底部表面。圆形底部表面相对于圆形上部表面。圆形底部表面包括圆形平面以及围绕圆形平面的承靠壁，且圆形平面的边缘和圆形底部表面的边缘同心。承靠壁用以限制多个支撑针的水平移动，且圆形平面用以覆盖吸附平面。

在本发明的一实施例中，上述的多个支撑针包括尖端。多个支撑针的多个尖端用以在支撑位置以及收纳位置之间移动。支撑位置位于吸附平面之上，且收纳位置位于吸附平面之下。

在本发明的一实施例中，上述的多个支撑针和吸附平面是用以支撑晶圆，且晶圆的直径和圆形上部表面的边缘的直径相同。

在本发明的一实施例中，上述的圆形上部表面的直径落在298毫米至300毫米的范围。

在本发明的一实施例中，上述的圆形平面的直径落在170毫米至180毫米的范围。

在本发明的一实施例中，上述的校正盘的材料包括玻璃或金属。

在本发明的一实施例中，上述的圆形底部表面包括围绕圆形平面的环状底部平面，且圆形平面位于环状底部平面的下方，且承靠壁连接圆形平面至环状底部平面。

在本发明的一实施例中，上述的圆形平面相对于环状底部平面的深度落在1毫米至2毫米的范围。

在本发明的一实施例中，上述的校正盘包括圆形基板以及环状基板。圆形基板包括圆形平面。环状基板包括环状上部平面、相对于环状上部平面的环状底部平面，以及中间孔。圆形基板连接环状基板的环状上部平面并覆盖中间孔于环状上部平面的开口，且圆形平面位于环状底部平面的下方，中间孔露出圆形平面。

本发明一实施例的涂布系统的校正方法包括：提高涂布系统的多个支撑针的尖端至支撑位置；配置校正盘至多个支撑针；收起多个支撑针的多个尖端至收纳位置并配置校正盘至吸附平面，收纳位置位于吸附平面的下方；以吸附平面吸附校正盘并提供压力值；以及比较压力值以及预设范围。

在本发明的一实施例中，上述的校正方法，还包括：当压力值没有落在预设范围时，重新校正多个支撑针的支撑位置、收纳位置或吸附平面的位置。

在本发明的一实施例中，上述的多个支撑针支撑校正盘的圆形平面。当校正盘配置在多个支撑针时，校正盘的承靠壁限制多个支撑针在圆形底部平面上的水平位置。吸附平面用以吸附承靠壁所环绕的圆形平面。