[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010534706.1 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN112687719A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 陈政吾;严喆焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 习瑞恒;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,包括相互隔开的第一非弯曲区域及第二非弯曲区域以及位于所述第一非弯曲区域与第二非弯曲区域之间并弯曲的弯曲区域;
显示层,在所述第一非弯曲区域布置于所述基板的第一面上,并且显示图像;
第一保护层,在所述弯曲区域布置于所述基板的第一面上;以及
第二保护层,布置于所述基板的第二面上,并且包括在所述弯曲区域相互隔开的腔体,
其中,在所述弯曲区域的第一位置点的第一弯曲应力大于所述弯曲区域的平均弯曲应力的情况下,与所述第一位置点对应的所述腔体的第一密度小于所述腔体的平均密度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一保护层的厚度在整个所述弯曲区域恒定,
所述第一位置点越远离所述第一非弯曲区域,直到所述第一弯曲应力变得最大为止所述第一弯曲应力越大,所述第一密度越小。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述弯曲区域包括:第一邻近区域,与所述第一非弯曲区域邻近;第二邻近区域,与所述第二非弯曲区域邻近;以及中间区域,位于所述第一邻近区域与第二邻近区域之间,
其中,在所述第一邻近区域,所述基板的弯曲应力小于所述平均弯曲应力,
在所述中间区域,所述基板的弯曲应力大于所述平均弯曲应力,
与所述第一邻近区域对应的第一腔体的密度大于与所述中间区域对应的第二腔体的密度。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第一腔体的深度大于所述第二腔体的深度。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
单位面积内所述第一腔体的数量与单位面积内所述第二腔体的数量相同。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第一腔体的平均直径、平均宽度或者平均面积大于所述第二腔体的平均直径、平均宽度或者平均面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
各个所述腔体具有圆形或四边形的平面形状,
所述腔体沿所述第一非弯曲区域及第二非弯曲区域相互隔开的方向相互交错布置。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
各个所述腔体具有条形的平面形状,并且沿与所述第一非弯曲区域及第二非弯曲区域相互隔开的方向垂直的方向延伸。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述弯曲区域包括:第一邻近区域,与所述第一非弯曲区域邻近;第二邻近区域,与所述第二非弯曲区域邻近;以及中间区域,位于所述第一邻近区域与第二邻近区域之间,
其中,与所述第一邻近区域对应的所述第一保护层的第一厚度小于与所述中间区域对应的所述第一保护层的第二厚度,
与所述第一邻近区域对应的第一腔体的密度小于与所述中间区域对应的第二腔体的密度。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述中间区域的面积大于所述第一邻近区域及所述第二邻近区域的总面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010534706.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的