[发明专利]利用X射线荧光光谱仪进行氯含量检测的方法在审
申请号: | 202010533730.3 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN113777121A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 刘小东;滕飞;贾少鹏;谭志勇;吴梅 | 申请(专利权)人: | 北京安科慧生科技有限公司 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
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地址: | 101102 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 射线 荧光 光谱仪 进行 含量 检测 方法 | ||
本申请提供一种利用X射线荧光光谱仪进行氯含量检测的方法,所述X射线荧光光谱仪使用锗晶体作为次级分光晶体,其包括以下步骤:步骤1、将样品放置在检测处,检测出样品中氯的荧光强度值及锗晶体产生的荧光强度值,并分别定义为I_Cl及I_Ge;步骤2、定义样品氯含量值为X_Cl,将I_Cl及I_Ge代入以下公式:X_Cl=A0*I_Cl+A1*I_Ge+A2*I_Cl*I_Ge+A3中,得出X_Cl,其中A0、A1、A2及A3为预先使用所述X射线荧光光谱仪对多组已知氯含量的标准样品进行检测而确定的具体数值。本申请通过上述方法检测,可降低高硫样品中硫元素对氯元素的影响,得到的样品氯含量结果更加精确。
技术领域
本申请涉及一种利用X射线荧光光谱仪进行氯含量检测的方法。
背景技术
单波长色散X射线荧光光谱仪是一种利用全聚焦型双曲面弯晶将微焦斑X射线管发射的X射线特征峰单色化并聚焦于测试样品表面,激发样品中元素产生荧光X射线,荧光X射线再经次级全聚焦型双曲面弯晶衍射,并聚焦到探测器上进行探测,由特征X射线荧光强度对单一元素含量进行定量分析的仪器。通过全聚焦双曲面弯晶的衍射,极大降低了X射线光管出射谱中连续轫致辐射的散射构成荧光光谱的连续散射背景,大幅提升了样品中特定元素的激发效率,待测元素X射线荧光通过次级双曲面弯晶衍射后,获得极佳的特定元素峰背比,元素的检出限更低。
现有的单波长色散X射线荧光光谱仪在分析样品中的氯含量时,如果样品中含有硫含量,会产生硫元素对氯元素的吸收效应即X射线激发样品中氯元素产生的荧光被硫元素吸收,导致氯元素荧光强度减少。样品中硫含量高于0.5%时,硫对氯的荧光强度吸收更显著,此时氯的荧光强度显著减弱,氯含量结果显著降低,会出现实际检测到的氯含量分析结果随样品中硫元素含量的增高而降低、不准确的情况。
综上所述,需要对现有的X射线荧光光谱仪的检测方法进行改进。
发明内容
本申请提供一种利用X射线荧光光谱仪进行氯含量检测的方法,能够提高检测精度。
具体地,本申请是通过如下技术方案实现的:一种利用X射线荧光光谱仪进行氯含量检测的方法,所述X射线荧光光谱仪使用锗晶体作为次级分光晶体,其包括以下步骤:步骤1、将样品放置在检测处,检测出样品中氯的荧光强度值及锗晶体产生的荧光强度值,并分别定义为I_Cl及I_Ge;步骤2、定义样品氯含量值为X_Cl,将I_Cl及I_Ge代入以下公式:X_Cl=A0*I_Cl+A1*I_Ge+A2*I_Cl*I_Ge+A3中,得出X_Cl,其中A0、A1、A2及A3为预先使用所述X射线荧光光谱仪对多组已知氯含量的标准样品进行检测而确定的具体数值。本申请通过上述方法检测,可降低硫元素的影响,得到的样品氯含量结果更加精确。
依据本申请的一个实施方式,所述样品的硫含量大于0.5%。该检测方法适用于硫含量大于0.5%的样品检测。
依据本申请的一个实施方式,所述X射线荧光光谱仪的屏幕上显示步骤1中的I_Cl及I_Ge。
依据本申请的一个实施方式,通过软件程序执行上述公式的计算。通过软件程序计算更加快速,结果更加准确。
依据本申请的一个实施方式,所述软体程序的界面至少包括用于输入I_Cl及I_Ge的两个输入栏,和用于输出X_Cl的输出栏。软体程序的界面简洁,操作方便。
依据本申请的一个实施方式,所述软体程序安装在所述X射线荧光光谱仪中,所述X射线荧光光谱仪的屏幕上显示步骤2中的X_Cl,可使检测更加便捷和准确。
依据本申请的一个实施方式,所述样品为液体或固体的化工产品。本检测方法应用广泛。
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