[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010520074.3 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111554730B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 刘会双;费国东;王晓鹏 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括层叠设置的驱动单元和发光单元,包括:副显示区,副显示区包括第一显示区和第二显示区,第一显示区和第二显示区之间设有功能区域,第一显示区和/或第二显示区内的每行发光单元通过一条第一走线接收第一信号;其中,对于任一第一走线,第一走线包括若干条第一子走线,任意相邻的两条第一子走线之间具有间隙、并通过第一辅助连接线连接,第一子走线与第一辅助连接线位于不同层、且第一子走线与第一辅助连接线通过过孔连接,若干条第一子走线的长度相同。该显示面板能够保证薄膜晶体管器件特性均一变化,改善显示面板打孔区域周边显示不均的问题。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,用户对电子设备显示屏的屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
现有的电子设备(如手机、平板电脑等)通常需要在显示屏上开孔来放置前摄像头、听筒等感光元件,导致打孔区域周边的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的栅源漏线路长短不均一,这些线路在制程工艺过程中受到的电荷积累作用存在差异,影响TFT器件特性,最终表现在产品上为出现打孔区域周边显示不均的问题,即显示异常或Mura(指显示器亮度不均匀,造成各种痕迹的现象)。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,能够保证薄膜晶体管器件特性均一变化,改善显示面板打孔区域周边显示不均的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括层叠设置的驱动单元和发光单元,包括:
副显示区,副显示区包括第一显示区和第二显示区,第一显示区和第二显示区之间设有功能区域,第一显示区和/或第二显示区内的每行发光单元通过一条第一走线接收第一信号;其中,
对于任一第一走线,第一走线包括若干条第一子走线,任意相邻的两条第一子走线之间具有间隙、并通过第一辅助连接线连接,第一子走线与第一辅助连接线位于不同层、且第一子走线与第一辅助连接线通过过孔连接,若干条第一子走线的长度相同。
如上的显示面板,可选地,第一显示区和/或第二显示区内的每列发光单元通过一条第二走线接收第二信号;其中,
对于任一第二走线,第二走线包括若干条第二子走线,任意相邻的两条第二子走线之间具有间隙、并通过第二辅助连接线连接,第二子走线与第二辅助连接线位于不同层、且第二子走线与第二辅助连接线通过过孔连接,若干条第二子走线的长度相同。
如上的显示面板,可选地,显示面板还包括与副显示区相邻的主显示区;主显示区内的每行发光单元通过一条第一走线接收第一信号;主显示区内的每列发光单元通过一条第二走线接收第二信号;
功能区域为非显示区,副显示区内的任意一行发光单元的数量小于主显示区内的任意一行发光单元的数量,副显示区内的任意一列发光单元的数量小于主显示区内的任意一列发光单元的数量;或者,
功能区域为显示区,功能区域包括发光单元,用于驱动发光单元的驱动单元位于第一显示区和/或第二显示区。
如上的显示面板,可选地,驱动单元包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极和源漏极,第一走线为栅极走线,第一信号为栅极信号;第二走线为源漏极走线,第二信号为源漏极信号;或者,
第一走线为源漏极走线,第一信号为源漏极信号;第二走线为栅极走线,第二信号为栅极信号。
如上的显示面板,可选地,发光单元包括与薄膜晶体管的漏极连接的阳极层,薄膜晶体管包括第一金属层和第二金属层,薄膜晶体管的栅极位于第一金属层,薄膜晶体管的源极和/或漏极位于第二金属层。
如上的显示面板,可选地,第一辅助连接线和第二辅助连接线与阳极层同层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的