[发明专利]一种采用电压驱动的可控硅

说明书

本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片，N型硅片底部设有P型扩散层，P型扩散层底部电连接阳极电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内还设有控制电极，绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极，阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接，门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动，降低了对驱动IC的要求，减少了可控硅的应用成本。

技术领域

本发明涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种采用电压驱动的可控硅。

背景技术

目前可控硅即晶闸管的导通靠电流驱动，即IC向可控硅的门极输入大电流触发信号，这种驱动方式对IC的要求较高，因此在可控硅的应用领域中，高要求的驱动IC增加了可控硅的应用成本。

发明内容

鉴于背景技术的不足，本发明是提供了一种采用电压驱动的可控硅，所要解决的技术问题是现有可控硅的驱动通过电流方式实现，对驱动IC的要求较高，增加了可控硅的应用成本。

为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片，N型硅片底部设有P型扩散层，P型扩散层底部电连接阳极电极，N型硅片顶部设有至少一个第一P阱，第一P阱内设有至少一个第一N扩散区，N型硅片顶部还设有第二P阱，第二P阱内设有至少一个第二N扩散区；

N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接；

绝缘层内还设有控制电极，控制电极用来接收驱动阳极电极和输出电极导通的控制信号A；

绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极，阴极电极和门极电极被绝缘层隔开，阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接，门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接，用来接收驱动阳极电极和阴极电极导通的控制信号B。

进一步，第一P阱内平行设有两第一N扩散区。

本发明与现有技术相比所具有的有益效果是：在驱动可控硅导通时，向控制电极输入驱动电压，此时阳极电极和输出电极导通，与阳极电极连接的激励通过输出电极流入门极电极，然后阳极电极和阴极电极导通，激励便可通过阳极电极和阴极电极流出，进而实现了可控硅的导通控制，综上，本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动，降低了对驱动IC的要求，减少了可控硅的应用成本。

附图说明

本发明有如下附图：

图1为实施例1的可控硅的结构示意图；

图2为实施例2的可控硅的结构示意图；

图3为本发明采用IGBT驱动SCR的电路原理图；

图4为本发明采用MOSFET驱动SCR的电路原理图。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

如图1所示，一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片1，N型硅片1底部设有P型扩散层6，P型扩散层6底部电连接阳极电极12。

N型硅片1顶部设有一个第一P阱2，第一P阱2内设有至少一个第一N扩散区3，本实施例中，第一P阱2内设有两个第一N扩散区3，N型硅片1顶部还设有第二P阱4，第二P阱4内设有一个第二N扩散区5；

N型硅片1顶部连接绝缘层7，绝缘层7上设有输出电极8，输出电极8穿过绝缘层7分别与第一P阱2和第一N扩散区3电连接；