[发明专利]SiC MOSFET监测电路及监测方法

权利要求书

1.一种SiC MOSFET监测电路，其特征在于，包括：

采样模块，用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号；

分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述采样模块包括：

采样电阻，与所述SiC MOSFET的栅极连接，用于采集所述SiC MOSFET的栅极泄漏电流；

差分放大器，与所述采样电阻连接，用于感应并放大所述采样电阻上的电压降。

3.根据权利要求2所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述差分放大器的带宽不小于两倍的所述SiC MOSFET的开关频率。

4.根据权利要求2所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述差分放大器的输入偏置电流比所述SiC MOSFET的栅极泄漏电流小至少一个数量级；所述差分放大器的输入失调电压比所述采样电阻上的最小阈值电压小至少一个数量级。

5.根据权利要求2所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述分析模块包括：

比较器，与所述差分放大器连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。

6.根据权利要求5所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述比较器在所述SiCMOSFET栅极的电信号大于预设阈值时输出器件老化预警信号。

7.根据权利要求1所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述SiC MOSFET监测电路还包括：

栅极驱动电源，与所述采样模块连接，用于向所述SiC MOSFET监测电路供电。

8.根据权利要求7所述的SiC MOSFET监测电路，其特征在于，所述栅极驱动电源为线性稳压器。

9.一种SiC MOSFET监测方法，其特征在于，包括：

对SiC MOSFET进行老化试验，将栅极泄漏电流确定为所述SiC MOSFET的退化敏感参数进行状态监测；

对所述SiC MOSFET栅极的电信号进行采样处理，并将采集结果与预设阈值进行对比；

若所述SiC MOSFET栅极的电信号大于预设阈值则判断器件出现老化失效，并输出器件老化预警信号。

10.根据权利要求9所述的SiC MOSFET监测方法，其特征在于，所述预设阈值根据所述SiC MOSFET的老化阈值确定。