[发明专利]存储设备及其操作方法

说明书

本公开的实施例涉及存储设备及其操作方法。存储器设备包括存储器单元阵列、读取操作器、偏移水平确定器和读取操作控制器。读取操作器将读取电压施加到所选择的字线，其被耦合到所选择的存储器单元，并且响应于评估信号来读取所选择的存储器单元。偏移水平确定器计算偏移值，该偏移值指示作为导通单元而被读取的存储器单元数目与参考数目之间的差，并且确定针对所选择的存储器单元的阈值电压分布的偏移水平。软读取表存储部存储软读取设置参数。读取操作控制器基于偏移水平和软读取设置参数来确定多个软读取电压，并且响应于评估信号来控制读取操作器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月3日提交的韩国专利申请号10-2019-0109109的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及存储设备以及操作存储设备的方法。

背景技术

存储设备是在诸如计算机或智能电话的主机设备的控制下存储数据的设备。存储设备可以包括在其中存储数据的存储器设备、以及控制存储器设备的存储器控制器。这样的存储器设备被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

易失性存储器设备是这样的存储器设备，其中仅当供电时，数据才被存储，并且其中在供电中断时，所存储的数据丢失。易失性存储器设备的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

非易失性存储器设备是这样的存储器设备，其中即使在供电中断时，所存储的数据也能够被保持。非易失性存储器设备的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪速存储器。

发明内容

根据一个实施例的存储器设备可以包括存储器单元阵列、读取操作器、偏移水平确定器和读取操作控制器。存储器单元阵列可以包括多个存储器单元。读取操作器可以被配置为向所选择的字线施加读取电压，所选择的字线耦合到从多个存储器单元之中选择的存储器单元，并且读取操作器被配置为响应于评估信号来读取所选择的存储器单元，评估信号用于感测被存储在所选择的存储器单元中的数据。偏移水平确定器可以被配置为计算偏移值，偏移值指示在所选择的存储器单元之中使用读取电压而作为导通单元被读取的存储器单元的数目与存储器单元的参考数目之间的差，并且偏移水平确定器被配置为基于偏移值来确定针对所选择的存储器单元的阈值电压分布的偏移水平。软读取表存储部可以被配置为存储分别与多个偏移水平相对应的软读取设置参数。读取操作控制器可以被配置为基于偏移水平和软读取设置参数，确定多个软读取电压，并且被配置为响应于评估信号来控制读取操作器，使得使用所确定的多个软读取电压来读取所选择的存储器单元的软读取操作被执行。

根据一个实施例的存储设备可以包括：包括多个存储器单元的存储器设备；以及存储器控制器，被配置为：当使用读取电压来读取多个存储器单元之中所选择的存储器单元的读取操作失败时，计算偏移值，偏移值指示在所选择的存储器单元之中使用读取电压而作为导通单元被读取的存储器单元的数目与存储器单元的参考数目之间的差，并且存储器控制器被配置为向存储器设备提供偏移值、以及软读取命令，软读取命令指示针对所选择的存储器单元的软读取操作。存储器设备可以被配置为响应于软读取命令，基于偏移值来确定针对所选择的存储器单元的阈值电压分布的偏移水平，并且被配置为执行使用多个软读取电压来读取所选择的存储器单元的软读取操作，多个软读取电压基于偏移水平而被确定。

附图说明

图1是图示了根据本公开的一个实施例的存储设备的图。

图2是图示了图1的存储器控制器的结构的图。

图3是图示了图1的存储器设备的结构的图。

图4是图示了图1的存储器设备的一个实施例的图。

图5是图示了图4的存储器单元阵列的图。