[发明专利]存储设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

读取操作器，被配置为向所选择的字线施加读取电压，所选择的所述字线被耦合到所述多个存储器单元之中的所选择的存储器单元，并且所述读取操作器被配置为响应于评估信号来读取所选择的所述存储器单元，所述评估信号用于感测被存储在所选择的所述存储器单元中的数据；

偏移水平确定器，被配置为计算偏移值，所述偏移值指示所选择的所述存储器单元之中的使用所述读取电压而作为导通单元被读取的存储器单元的数目与存储器单元的参考数目之间的差，并且所述偏移水平确定器被配置为基于所述偏移值，确定针对所选择的所述存储器单元的阈值电压分布的偏移水平；

软读取表存储部，被配置为存储软读取设置参数，所述软读取设置参数分别与多个偏移水平相对应；以及

读取操作控制器，被配置为基于所述偏移水平和所述软读取设置参数来确定多个软读取电压，并且被配置为响应于所述评估信号来控制所述读取操作器，使得使用所确定的所述多个软读取电压来读取所选择的所述存储器单元的软读取操作被执行。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述偏移水平确定器被配置为基于与多个参考时段之中的所述偏移值所属的参考时段来确定所述偏移水平，所述多个参考时段分别与所述多个偏移水平相对应。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述软读取设置参数包括关于软读取电压的数目的信息，所述软读取电压分别与所述多个偏移水平相对应。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中与所述多个偏移水平之中的第二偏移水平相对应的软读取电压的数目等于或大于与第一偏移水平相对应的软读取电压的数目，所述第二偏移水平比所述第一偏移水平高。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述软读取设置参数包括关于所述多个软读取电压之间的间隔的信息，所述多个软读取电压分别与所述多个偏移水平相对应。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中与所述多个偏移水平之中的第四偏移水平相对应的多个软读取电压之间的间隔等于或大于与第三偏移水平相对应的多个软读取电压之间的间隔，所述第四偏移水平比所述第三偏移水平高。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取操作器响应于评估时段，将所述读取电压施加到所选择的所述字线并且执行所述软读取操作，在所述评估时段期间，所述评估信号被激活。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述读取操作控制器被配置为取决于所述软读取电压的数目来调整所述评估时段的数目。

9.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述读取操作控制器被配置为取决于所述多个软读取电压之间的间隔来调整所述评估时段的长度。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：

所述读取操作控制器被配置为将所述评估时段的所述长度设置为使得在所述评估时段之中，第二评估时段长于第一评估时段，

所述第一评估时段对应于所述多个软读取电压之中的第一软读取电压，并且

所述第二评估时段对应于高于所述第一软读取电压的第二软读取电压。

11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：

所述读取操作控制器被配置为将所述评估时段的所述长度设置为使得在所述评估时段之中，第四评估时段短于第三评估时段，

所述第三评估时段对应于所述多个软读取电压之中的第三软读取电压，并且

所述第四评估时段对应于第四软读取电压，所述第四软读取电压低于所述第三软读取电压。

12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取操作控制器被配置为：当软读取命令被接收到时，控制所述读取操作器，使得所述软读取操作被执行。