[发明专利]相变辅助磁盘介质、磁盘、装置及方法

说明书

本发明提供了一种相变辅助磁盘介质、磁盘、装置及方法，所述相变辅助磁盘介质包括：衬底；形成在所述衬底上的相变材料层，所述相变材料层在预设条件下发生相变；形成在所述相变材料层上的磁性材料层，其中，所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁化状态，在所述相变材料层未发生相变时在第一方向和第二方向的磁场条件下分别具有第一磁化方向和第二磁化方向，以及形成在所述磁性材料层上的包覆层，本发明可有效提升存储密度同时保持存储稳定性。

技术领域

本发明涉及自旋电子器件技术领域，尤其涉及一种相变辅助磁盘介质、磁盘及装置。

背景技术

磁盘介质包括设置在磁盘盘面上的多个磁体，其中，每个磁体为一个bit位，磁体的磁化方向对应着计算机中的“0”和“1”，采用硬盘读写磁头改变和确定磁体的磁化方向，即可实现数据的写入和读取。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种相变辅助磁盘介质，有效提升存储密度同时保持存储稳定性。本发明的另一个目的在于提供一种磁盘。本发明的还一个目的在于提供一种磁盘装置。本发明的还一个目的在于提供一种相变辅助磁盘介质形成方法。本发明的还一个目的在于提供一种磁盘装置数据读写方法。

为了达到以上目的，本发明一方面公开了一种相变辅助磁盘介质，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的相变材料层，所述相变材料层在预设条件下发生相变；

形成在所述相变材料层上的磁性材料层，其中，所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁化状态，在所述相变材料层未发生相变时在第一方向和第二方向的磁场条件下分别具有第一磁化方向和第二磁化方向；以及

形成在所述磁性材料层上的包覆层。

优选的，所述衬底层的材料包括二氧化钛、硅和三氧化二铝中的一种或多种。

优选的，所述相变材料层的材料包括二氧化钒和硫化镉中的至少一种。

优选的，所述磁性材料层的材料包括钴/铂、钴铁硼/氧化镁、钴/钯中的一种或多种。

优选的，所述包覆层的材料包括钽和钌中的至少一种。

本发明还公开了一种磁盘，包括磁盘盘面以及设置在所述磁盘盘面上的多个如上所述的相变辅助磁盘介质。

优选的，所述相变辅助磁盘介质涂布设置在所述磁盘盘面上。

本发明还公开了一种磁盘装置，包括如上所述的磁盘、条件控制模块和读写模块；

其中，所述读写模块用于基于接收的写入指令确定待写入数据，若待写入数据为第一数据，形成条件控制信号并传输至待写入第一数据的相变辅助磁盘介质对应的条件控制模块，若待写入数据为第二数据或第三数据，形成对应的磁场以使磁性材料层的磁化方向与待写入数据对应，并基于接收的读取指令通过电磁感应原理确定待读取的相变辅助磁盘介质的磁化方向；

所述条件控制模块用于基于条件控制信号形成对应的预设条件并施加至所述待写入第一数据的相变辅助磁盘介质的相变材料层。

本发明还公开了一种相变辅助磁盘介质形成方法，包括：

在衬底上形成相变材料层，所述相变材料层在预设条件下发生相变；

在所述相变材料层上形成磁性材料层，其中，所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁化状态；

在所述磁性材料层上形成包覆层。

本发明还公开了一种磁盘装置数据读写方法，包括：

基于接收的写入指令确定待写入数据；