[发明专利]相变辅助磁盘介质、磁盘、装置及方法有效
申请号: | 202010466907.2 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111681691B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 林晓阳;吕晨;尉国栋;赵巍胜 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C13/00;G11B5/716 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵平;王涛 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相变 辅助 磁盘 介质 装置 方法 | ||
1.一种相变辅助磁盘介质,其特征在于,包括:
衬底;
形成在所述衬底上的相变材料层,所述相变材料层在预设条件下发生相变;
形成在所述相变材料层上的磁性材料层,其中,所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁化状态,在所述相变材料层未发生相变时在第一方向和第二方向的磁场条件下分别具有第一磁化方向和第二磁化方向,所述磁性材料层的未磁化状态、第一磁化方向和第二磁化方向分别表示三种不同的信息状态;以及
形成在所述磁性材料层上的包覆层;
所述相变材料层在外部的温度、光照、电压或施加应力下产生相变;
所述相变材料层的材料为二氧化钒或硫化镉。
2.根据权利要求1所述的相变辅助磁盘介质,其特征在于,所述衬底层的材料包括二氧化钛、硅和三氧化二铝中的一种。
3.根据权利要求1所述的相变辅助磁盘介质,其特征在于,所述磁性材料层的材料包括钴/铂、钴铁硼/氧化镁、钴/钯中的一种。
4.根据权利要求1所述的相变辅助磁盘介质,其特征在于,所述包覆层的材料为钽或钌。
5.一种磁盘,其特征在于,包括磁盘盘面以及设置在所述磁盘盘面上的多个如权利要求1-4任一项所述的相变辅助磁盘介质。
6.根据权利要求5所述的磁盘,其特征在于,所述相变辅助磁盘介质涂布设置在所述磁盘盘面上。
7.一种磁盘装置,其特征在于,包括如权利要求5或6所述的磁盘,还包括条件控制模块和读写模块;
其中,所述读写模块用于基于接收的写入指令确定待写入数据,若待写入数据为第一数据,形成条件控制信号并传输至待写入第一数据的相变辅助磁盘介质对应的条件控制模块,若待写入数据为第二数据或第三数据,形成对应的磁场以使磁性材料层的磁化方向与待写入数据对应,并基于接收的读取指令通过电磁感应原理确定待读取的相变辅助磁盘介质的磁化方向;
所述条件控制模块用于基于条件控制信号形成对应的预设条件并施加至所述待写入第一数据的相变辅助磁盘介质的相变材料层使所述相变材料层发生相变以使所述磁性材料层处于未磁化状态;
在所述相变材料层未发生相变时,所述磁性材料层在第一方向和第二方向的磁场条件下分别具有第一磁化方向和第二磁化方向,所述第一磁化方向和第二磁化方向分别与所述第二数据和所述第三数据对应。
8.一种相变辅助磁盘介质形成方法,其特征在于,包括:
S110:在衬底上形成相变材料层,所述相变材料层在预设条件下发生相变;
S120:在所述相变材料层上形成磁性材料层,其中,所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁化状态,在所述相变材料层未发生相变时在第一方向和第二方向的磁场条件下分别具有第一磁化方向和第二磁化方向,所述磁性材料层的未磁化状态、第一磁化方向和第二磁化方向分别表示三种不同的信息状态,所述相变材料层在外部的温度、光照、电压或施加应力下产生相变,所述相变材料层的材料为二氧化钒或硫化镉;
S130:在所述磁性材料层上形成包覆层。
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