[发明专利]一种透明基底单层水平电致变色器件的制备方法在审
申请号: | 202010465113.4 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111708240A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 简凌锋;闵永刚;刘屹东 | 申请(专利权)人: | 广州星晰材料有限公司 |
主分类号: | G02F1/1516 | 分类号: | G02F1/1516;G02F1/153;G02F1/155;C09K9/02;C07D519/00 |
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地址: | 511400 广东省广州市高新技术产业开发区科学*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 基底 单层 水平 变色 器件 制备 方法 | ||
1.一种透明基底单层水平电致变色器件的制备方法,包括以下步骤:以阻水阻氧的导电材料/透明基底作为下层两片断开的透明导电层/电极,以三维噻吩类聚合物作为电致变色材料,以固体电解质作为电解质层,在最上方以极性材料连接两片单独的电致变色器件。
2.权利要求1所述的单层水平电致变色器件,其中电致变色材料合成方法为5,5'-(3,5-didecylthiophene-2,4-diyl)bis(2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine)和EDOT锡试剂分别加入到干燥THF中,通入N2约20~40min,室温下加入PdCl2(PPh3)2催化剂,并在100℃回流18~24h,冷却后水洗稀释干燥过滤旋干;得到的混合物用二氯甲烷和三倍量的硅胶旋干,并以混合洗脱剂洗脱,再用甲醇和二氯甲烷洗涤后常温干燥,即可得类类t-EDOT-TH液晶相电致变色材料。
3.权利要求2所述的单层水平电致变色器件,其中电致变色材料的5,5’-(3,5-didecylthiophene-2,4-diyl)bis(2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine):EDOT锡试剂=1:5~8(摩尔比),5,5’-(3,5-didecylthiophene-2,4-diyl)bis(2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine):PdCl2(PPh3)2催化剂=2~5:1(摩尔比)。
4.权利要求2所述的单层水平电致变色器件,其中电致变色材料的混合洗脱剂可以为DCM:PE=1:1~2(体积比)。
5.权利要求1所述的单层水平电致变色器件,其中阻水阻氧透明基底的可以为PC/PMMA复合、PTFE/PVDF复合、CPI等材料。
6.权利要求1所述的单层水平电致变色器件,其中阻水阻氧的导电材料/透明基底的制作方法为三层共挤出,上下两层加入填料如MMT、氧化石墨烯、云母片中的一种或多种。
7.权利要求1所述的单层水平电致变色器件,其中透明基底的导电材料和方法材料可以是镀金属网格、表层碳化/石墨化等。
8.权利要求1所述的单层水平电致变色器件,其中电解质层为固体电解质溶剂为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯吡咯烷酮等。
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