[发明专利]显示装置及电子设备在审
| 申请号: | 202010449912.2 | 申请日: | 2015-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN111599842A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 元山阳介;浅木玲生;牧村真悟 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
一种显示装置及电子设备,显示装置包括在第一方向和第二方向上排列的多个像素。每个像素包括:第一子像素;第二子像素,被布置为在第一方向上与第一子像素相邻;第三子像素,被布置为在第二方向上与第一子像素和第二子像素中的至少一个相邻;以及遮光部,被对应于其上布置第三子像素的位置布置,以便限制第三子像素在第一方向上的视角。
本申请是申请号为201510042518.6的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容涉及在一个像素中包括多个子像素的显示装置,以及使用此显示装置的电子设备。
背景技术
带状阵列结构和德尔塔阵列结构被称为其中使用电致发光(electro-luminescence)(EL)元件等的显示装置中的像素阵列结构。作为另一种结构,已知的是在日本未审查专利申请公开第2011-249334号中公开的像素阵列结构。
发明内容
德尔塔阵列结构有利于像素的宽开口实现长寿命和宽视角。然而,很难避免像素的行方向和列方向中的线条图形的参差不齐的感觉。另一方面,在采用带状阵列结构的情况下,可以避免参差不齐的感觉。然而,在一个像素中用于色彩分离的子像素的总长度变长,以及开口率减小,并且然后,亮度和寿命劣化。
因此,如在日本未审查专利申请公开第2011-249334号中所公开的,提出了实现高分辨率以及保证开口率的像素阵列结构。在日本未审查专利申请公开第2011-249334号中所公开的像素阵列结构中,第一子像素和第二子像素被形成在一个像素中的一个列上,并且第三子像素被形成在与第一子像素和第二子像素相邻的两个行上,并且因此,开口率被提高。在该像素阵列结构中,在行方向上的第三子像素的开口宽度大于第一子像素和第二子像素的开口宽度。
然而,在日本未审查专利申请公开第2011-249334号中所公开的像素阵列结构中,由于在行方向上的第三子像素的开口宽度与第一和第二子像素的开口宽度不同,因此视角特性劣化。作为实际现象,色差变化出现在全彩发射(白光发射)之时。随着像素间距变得越小,该现象出现得越明显,并且从显示面板的前端看到的图像的色调和倾斜地看到的图像的色调彼此不相同。因此,与各个颜色的子像素的开口宽度相同的带状阵列结构和德尔塔阵列结构相比视角特性劣化。在高于2000ppi的高分辨率面板中显著出现该现象,并且近年来期望高分辨率的显示器已经成为重大问题。特别地,在取景器或头戴式显示器中使用的显示面板的分辨率已经达到高于2000ppi范围,并且显而易见的是,用于该应用程序的显示面板降低面板的质量。
希望提供可以同时实现宽开口和宽视角的显示装置和电子设备。
根据本公开内容,提供了显示装置,包括在第一方向和第二方向上排列的多个像素。每个像素包括:第一子像素;第二子像素,被布置为在第一方向上与第一子像素相邻;第三子像素,被布置为在第二方向上与第一子像素和第二子像素中的至少一个相邻;以及遮光部,被对应于其上布置第三子像素的位置布置,以便限制第三子像素在第一方向上的视角。
根据本公开内容,提供了电子设备,包括在第一方向和第二方向上排列多个像素的显示装置。每个像素包括:第一子像素;第二子像素,被布置为在第一方向上与第一子像素相邻;第三子像素,被布置为在第二方向上与第一子像素和第二子像素中的至少一个相邻;以及遮光部,被对应于其上布置第三子像素的位置布置,以便限制第三子像素在第一方向上的视角。
在根据本公开内容的显示装置或电子设备中,在第一方向上的第三子像素的视角受到遮光部的限制。
根据本公开内容中的显示装置和电子设备,由于在第一方向上第三子像素的视角受到遮光部的限制,因此可以同时实现宽开口和宽视角。
在此描述的效果并不仅限于此,并且可以是在本公开内容中描述的任意效果。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





