[发明专利]感光芯片组件、摄像模组及终端设备

权利要求书

1.一种感光芯片组件，其特征在于，包括：

感光芯片，包括硅基底、位于所述硅基底之上的感光区和位于所述感光区之上的微透镜阵列；

第一应力层，设置于所述感光芯片的背侧，所述第一应力层产生拉应力驱使所述感光芯片的中心区域向靠近所述微透镜阵列的方向弯曲、所述感光芯片的四周向远离所述微透镜阵列的方向弯曲。

2.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第一应力层的材料包括：金属材料。

3.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第一应力层的材料还包括：

金属合金材料或者能够产生拉应力的非金属材料。

4.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第一应力层的厚度为：0.1um～10um。

5.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第一应力层包括真空蒸发镀膜层和/或真空溅射镀膜层。

6.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，所述感光芯片的中心区域与所述感光芯片的四周之间的高度差在0～15um之间。

7.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其特征在于，还包括：

第二应力层，设置于所述第一应力层的与所述感光芯片相反的一侧。

8.根据权利要求7所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第二应力层的表面粗糙度小于或者等于200nm。

9.根据权利要求7所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第二应力层的厚度大于或者等于所述第一应力层的厚度。

10.根据权利要求7所述的感光芯片组件，其特征在于，所述第二应力层包括：镀膜层或胶层。

11.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述镀膜层包括：压应力膜。

12.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述镀膜层的材料包括：化合物材料。

13.根据权利要求12所述的感光芯片组件，其特征在于，化合物材料包括：

二氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钛中的一种或多种。

14.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述镀膜层的厚度为：0.1um～10um。

15.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述镀膜层包括真空蒸发镀膜层和/或真空溅射镀膜层。

16.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述胶层的材料包括：

热固胶、UV胶、UV热固胶、湿气固化胶中的一种或多种。

17.根据权利要求16所述的感光芯片组件，其特征在于，所述胶层的厚度为：0.1um～30um。

18.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其特征在于，所述胶层包括：喷涂层和/或旋涂层。

19.一种摄像模组，其特征在于，包括：

感光芯片组件封装体，包括如权利要求1-18中任一项所述的感光芯片组件；

镜头组件，包括：镜头；镜头载体或者马达，所述镜头载体或马达与所述感光芯片组件封装体相连。

20.根据权利要求19所述的摄像模组，其特征在于，所述摄像模组的场曲值在-10um～10um以内。