[发明专利]信号线结构及电子装置在审
申请号: | 202010430904.3 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111564456A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 周威云;宋小来;何春荣;李计考;王士敏;朱泽力 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 周伟锋 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号线 结构 电子 装置 | ||
1.信号线结构,包括n条信号线,n为大于1的整数,所述信号线的一端用于连接功能电极,所述信号线的另一端用于连接驱动控制电路,第n条所述信号线的长度大于第n-1条所述信号线的长度,其特征在于:所述第n条信号线的宽度大于所述第n-1条信号线的宽度。
2.如权利要求1所述的信号线结构,其特征在于:所述信号线包括用于连接所述功能电极的连接段和用于连接所述连接段并延伸至所述驱动控制电路的延伸段,所述第n条信号线的连接段的宽度大于或等于所述第n-1条信号线的连接段的宽度,所述第n条信号线的延伸段的宽度大于所述第n-1条信号线的延伸段的宽度。
3.如权利要求2所述的信号线结构,其特征在于:所述延伸段包括m个宽度的分段,所述延伸段的电阻值为m个所述分段的电阻值之和。
4.如权利要求3所述的信号线结构,其特征在于:所述延伸段与所述连接段倾斜相接。
5.如权利要求3所述的信号线结构,其特征在于:所述第n条信号线的延伸段的靠近所述连接段的分段的宽度大于所述第n-1条信号线的延伸段的靠近所述连接段的分段的宽度,且所述第n条信号线的延伸段的靠近所述连接段的分段的宽度大于所述第n条信号线的延伸段的远离所述连接段的分段的宽度。
6.如权利要求5所述的信号线结构,其特征在于:所述第n条信号线的延伸段包括两个宽度的分段,两个所述分段分别为靠近所述连接段的分段和远离所述连接段的分段;所述第n条信号线的延伸段的远离所述连接段的分段的宽度大于所述第n-1条信号线的延伸段的远离所述连接段的分段的宽度。
7.如权利要求5或6所述的信号线结构,其特征在于:所述第n条信号线的延伸段的靠近所述连接段的分段伸入于所述第n条信号线的连接段和所述第n-1条信号线的连接段之间的间隔处。
8.电子装置,其特征在于:包括权利要求2至7任一项所述的信号线结构和n个功能电极,所述功能电极与所述信号线一对一连接。
9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于:还包括具有功能区的基板,n个所述功能电极设于所述功能区内,n条所述信号线的延伸段设于所述功能区的外侧。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于:n个所述功能电极呈条形排布或点阵式排布或者矩阵式排布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的