[发明专利]一种LED发光器件的制备方法、LED发光器件及显示面板

权利要求书

1.一种LED发光器件的封装方法，其特征在于，包括：

提供线路板，所述线路板的一侧形成有焊盘，所述焊盘的材料为铜；

对所述焊盘氧化处理，以在所述焊盘的表面形成氧化亚铜层；

在所述氧化亚铜层上形成焊料；

将LED发光晶片贴附在所述焊料上；

加热熔化所述焊料，待所述焊料凝固后，使得所述LED发光晶片固定在所述焊盘上。

2.根据权利要求1所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，所述LED发光晶片为倒装晶片或垂直晶片，所述倒装晶片的两个电极均位于与所述倒装晶片的发光面相对的背光面，所述垂直晶片的两个电极分别位于所述垂直晶片的发光面和背光面，所述LED发光晶片的电极贴附于所述焊料上，所述加热熔化所述焊料，包括：

所述焊料中的助焊剂将与所述焊料接触的部分所述氧化亚铜层还原为铜，未与所述焊料接触的部分所述氧化亚铜层被继续氧化为氧化铜。

3.根据权利要求1所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，对所述焊盘氧化处理，包括：

将所述焊盘在180℃-220℃下加热4小时-6小时。

4.根据权利要求1-3任一所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，所述加热熔化所述焊料，包括：

采用回流焊对贴附有LED发光晶片的线路板进行加热，所述回流焊的加热过程依次包括第一加热阶段、第二加热阶段、第三加热阶段、保温阶段和冷却阶段；

在所述第一加热阶段加热至第一温度，所述第一温度范围为120℃-170℃；

在所述第二加热阶段加热至第二温度，所述第二温度范围为200℃-230℃；

在所述第三加热阶段加热至第三温度，所述第三温度范围为240℃-260℃；

所述保温阶段的保温时间为30秒-60秒。

5.根据权利要求4所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，所述第一加热阶段的加热速度为1.0℃/s-3.0℃/s；

所述第二加热阶段的加热速度为0.5℃/s-1.0℃/s；

所述第三加热阶段的加热速度为1.0℃/s-2.0℃/s；

所述冷却阶段的冷却速度为1.5℃/s-3.0℃/s。

6.根据权利要求5所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，所述回流焊的加热过程还包括第一恒温阶段和第二恒温阶段，所述第一恒温阶段位于所述第一加热阶段和所述第二加热阶段之间，所述第二恒温阶段位于所述第二加热阶段和所述第三加热阶段之间；

所述第一恒温阶段和所述第二恒温阶段的恒温时间均为30秒-60秒。

7.根据权利要求6所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，在所述第二加热阶段，所述焊料中的助焊剂将与所述焊料接触的部分所述氧化亚铜层还原为铜。

8.根据权利要求7所述的LED发光器件的封装方法，其特征在于，在LED发光晶片固定在所述焊盘上后，还包括：

在所述线路板上形成封装层，以覆盖所述LED发光晶片。

9.一种LED发光器件，其特征在于，包括：

线路板，所述线路板的第一表面设置有多个焊盘；

至少一个LED发光晶片，所述LED发光晶片通过焊料固定在所述焊盘上；

其中，所述焊盘包括铜本体和覆盖在所述铜本体表面的氧化铜层，所述氧化铜层由所述铜本体的表层氧化为氧化亚铜后进一步氧化形成。