[发明专利]一种转移方法及显示装置有效
申请号: | 202010407747.4 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN113675079B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 李强;许时渊 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/683;H01L33/48;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凯凯 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 方法 显示装置 | ||
1.一种转移方法,其特征在于,包括:
对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割,得到切割后的待转移晶圆,其中,切割的深度小于所述外延层的深度;
提供一暂态基板,所述暂态基板上设有第一释放胶,通过所述第一释放胶与所述待转移晶圆的第一侧的表面进行粘接,以将所述待转移晶圆粘附在所述暂态基板上,并剥离所述生长基板;
提供一蓝膜,所述蓝膜上设有第二释放胶,通过所述第二释放胶与所述待转移晶圆的第二侧的表面进行粘接,以将所述待转移晶圆粘附在所述蓝膜上,并剥离所述暂态基板,其中,所述第一侧的表面与所述第二侧的表面正对设置;
提供一滚轮,所述滚轮设于所述蓝膜底部,且与所述待转移晶圆相对设置,通过所述滚轮将所述蓝膜顶起,使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下自动进行裂片。
2.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述剩余切割道为V型或U型。
3.根据权利要求2所述的转移方法,其特征在于,所述通过所述第一释放胶与所述待转移晶圆的第一侧的表面进行粘接,以将所述待转移晶圆粘附在所述暂态基板上,并剥离所述生长基板,包括:
在所述暂态基板上涂覆或者贴覆第一释放胶,将所述暂态基板固定在所述待转移晶圆与所述生长基板相对的一面上;
通过激光剥离所述生长基板,将所述待转移晶圆转移到所述暂态基板上。
4.根据权利要求3所述的转移方法,其特征在于,所述通过所述第二释放胶与所述待转移晶圆的第二侧的表面进行粘接,以将所述待转移晶圆粘附在所述蓝膜上,并剥离所述暂态基板,包括:
在所述蓝膜上涂覆或者贴覆第二释放胶,将所述蓝膜固定在所述待转移晶圆与所述暂态基板相对的一面上;
在满足所述第一释放胶的释放条件下剥离所述暂态基板,将所述待转移晶圆转移到所述蓝膜上。
5.根据权利要求2所述的转移方法,其特征在于,所述提供一滚轮,所述滚轮设于所述蓝膜底部,且与所述待转移晶圆相对设置,通过所述滚轮将所述蓝膜顶起,使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下自动进行裂片,包括:
提供一滚轮,将所述滚轮放置在所述蓝膜远离所述待转移晶圆的一面上;其中,所述滚轮位于所述剩余切割道的中间位置;
通过所述滚轮将所述蓝膜顶起,使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下断裂,以对所述待转移晶圆自动进行裂片。
6.根据权利要求3所述的转移方法,其特征在于,在所述通过激光剥离所述生长基板,将所述待转移晶圆转移到所述暂态基板上之后,还包括:
通过盐酸对所述待转移晶圆与所述生长基板接触的一面进行清洗。
7.根据权利要求4所述的转移方法,其特征在于,所述第一释放胶和所述第二释放胶的释放条件不同。
8.根据权利要求7所述的转移方法,其特征在于,所述第一释放胶为光解胶,所述第二释放胶为热解胶;
所述在满足所述第一释放胶的释放条件下剥离所述暂态基板,包括:
通过激光照射所述暂态基板,解除所述第一释放胶的粘性,使所述暂态基板从所述待转移晶圆上剥离下来。
9.根据权利要求7所述的转移方法,其特征在于,所述第一释放胶为热解胶,所述第二释放胶为光解胶;
所述在满足所述第一释放胶的释放条件下剥离所述暂态基板,包括:
通过对所述暂态基板进行加热,解除所述第一释放胶的粘性,使所述暂态基板从所述待转移晶圆上剥离下来。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括固定有LED芯片的显示基板,所述LED芯片采用上述权利要求1-9任一项所述的转移方法进行转移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造