[发明专利]掩膜板和其制备方法及使用该掩膜板制备光伏组件的方法有效
| 申请号: | 202010403021.3 | 申请日: | 2020-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN111394693B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
| 发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/34;C23C14/24;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/12;C23C14/20;H01L31/18;H01L31/0224;H10K71/60;H10K71/16;H10K30/15;H10K30/10;B23K26 |
| 代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩膜板 制备 方法 使用 组件 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括框架,在框架内设置掩膜工作区域,在掩膜工作区域内设置多条掩膜线,多条掩膜线将掩膜工作区域分隔成多个镀膜工作区,掩膜线的截面包括金属纤维层和陶瓷层,陶瓷层凸设在金属纤维层的底面;掩膜线的截面为矩形,其宽度为50微米~100微米,其中,金属纤维层的厚度为1微米~100微米,陶瓷层的厚度为1微米~1毫米;金属纤维层的制备材料为铌钨合金、钨碳钴合金、钨镍铁、钨镍铜或钨镍铜铁合金中任意一种,陶瓷层的制备材料为SiO2、SiC和SiNx中任意一种。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在框架上设置用于固定待镀膜基片的定位片。
3.一种如权利要求1或2所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用激光加工方式对框架内设置的金属纤维板进行切割加工,在框架的掩膜工作区域内加工出多条金属纤维线,掩膜工作区域被多条金属纤维线切隔成多个镀膜工作区,再在金属纤维线的下表面制备陶瓷层,即得到含有金属纤维和陶瓷复合层的掩膜线。
4.一种光伏组件的制备方法,光伏组件的内部结构从下往上依次包括基底、导电层、第一载流子层、吸光层、第二载流子层和背电极层,其特征在于,在光伏组件的制备过程中使用了如权利要求1或2所述的掩膜板,其制备方法包括如下步骤:
步骤一、在基底上覆盖第一掩膜板,然后一起送入溅射腔室中,采用溅射法在基底上制备导电层,制备完成后取下第一掩膜板;
步骤二、在导电层上覆盖第二掩膜板,依次一起送入蒸镀室中采用蒸镀法依次制备第一载流子层、吸光层、第二载流子层,制备完毕后取下第二掩膜板;
步骤三、在第二载流子层上覆盖第三掩膜板,一起送入蒸镀室中采用蒸镀法制备背电极层,制备完毕后取下第三掩膜板即可;
其中,在第一掩膜板上设置n条相互平行的掩膜线,n条掩膜线将掩膜工作区域分隔成n个镀膜工作区,在第二掩膜板上设置2n条相互平行的掩膜线,对应地,在靠近每条第一掩膜板的掩膜线的一侧边分别同时设置两条第二掩膜板的掩膜线,在第三掩膜板上设置n条相互平行的掩膜线,第三掩膜板的掩膜线所在位置与第二掩膜板的离第一掩膜板最远的掩膜线的重合,相当于,在第二掩膜板上同时预留有第三掩膜板的掩膜线的位置。
5.如权利要求4所述的光伏组件的制备方法,其特征在于,导电层的厚度为300nm~1um,第一载流子层的厚度为10nm~500nm,吸光层的厚度为200nm~500nm,第二载流子层的厚度为10nm~500nm,背电极层的厚度为80nm~200nm。
6.如权利要求4所述的光伏组件的制备方法,其特征在于,导电层的制备材料包括氧化锌、氧化铟、氧化锡、掺铝氧化锌、掺铟氧化锌以及氧化铟锡中任意一种;吸光层为具有ABX3型结构的钙钛矿卤化物晶体,其中,A为甲胺基、甲脒基、铯中任意一种一价阳离子,B为二价的铅离子或亚锡离子,X为卤素Cl、Br、I中任意一种;背电极层的制备材料包括铂、金、铜、银、铝、铑、铟、钛、铁、镍、锡、锌的金属中的任意一种。
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