[发明专利]用于射频应用的转移印刷

权利要求书

1.一种用于射频应用的半导体结构，包括：

第一μ TP GaN晶体管，在SOI晶片或管芯上；以及

第一电阻器，连接到第一晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二μ TP GaN晶体管，在所述SOI晶片或管芯上；以及

第二电阻器，连接到第二晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

SOI晶体管，与所述第一μ TP GaN晶体管串联地形成在所述SOI晶片上；

第二电阻器，连接到所述SOI晶体管的栅极；以及

第三电阻器，连接所述SOI晶体管的主体。

4.根据权利要求1、2或3所述的半导体结构，还包括：两个或更多个堆叠的SOI晶体管，与所述第一μ TP GaN晶体管串联地形成在所述SOI晶片上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一开关分支，包括在所述SOI晶片上的一个或多个μ TP GaN晶体管，并且所述第一开关分支连接到第一RF端口；

第二开关分支，包括在所述SOI晶片或管芯上的一个或多个μ TP GaN晶体管，并且所述第二开关分支连接到第二RF端口，其中所述第一开关分支和所述第二开关分支中的每个μTP GaN晶体管具有连接到相应电阻器的栅极。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一开关分支和所述第二开关分支均包括三个μ TP GaN晶体管。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，每个相应电阻器与二极管并联连接。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一开关分支中的所述μ TP GaN晶体管和/或所述第二开关分支中的所述μ TP GaN晶体管在同一小芯片上。

9.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：

开关驱动器，形成在所述SOI晶片上并连接到所述第一开关分支和所述第二开关分支；

偏置块，连接到所述开关驱动器。

10.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一开关分支和所述第二开关分支均包括与所述一个或多个μ TP GaN晶体管串联连接的堆叠的SOI晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括形成在所述SOI晶片上的第二开关驱动器和第二偏置块，用于控制所述堆叠的SOI晶体管。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述结构是SPDT开关。

13.根据权利要求5至11中任一项所述的半导体结构，还包括一个或多个另外的开关分支，其中，所述另外的开关分支或每个另外的开关分支包括在所述SOI晶片或管芯上的一个或多个μ TP GaN晶体管。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述结构是N刀M掷NPMT开关。

15.一种用于放大RF信号的半导体结构，包括：

共源共栅结构，包括在SOI晶片或管芯上的μ TP GaN晶体管。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述共源共栅结构还包括形成在所述SOI晶片上并连接到所述μ TP GaN晶体管的SOI晶体管。

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其中，所述共源共栅结构还包括在所述SOI晶片或管芯上并连接到所述μ TP GaN晶体管的第二μ TP GaN晶体管。