[发明专利]一种避免反溅射层剥离的SIP系列靶材及其用途

权利要求书

1.一种避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述SIP系列靶材包括阴极金属，所述阴极金属边缘的倒角半径R≥4mm。

2.如权利要求1所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述倒角半径R≥6mm。

3.如权利要求1或2所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述倒角半径R为6～12mm。

4.如权利要求1-3之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述倒角半径R为6～9mm。

5.如权利要求1-4之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述倒角半径R对应的圆心角为30～60°。

6.如权利要求1-5之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述SIP系列靶材还包括背板。

7.如权利要求1-6之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述阴极金属的非自由面与背板相接触，所述阴极金属的非自由面为不含有所述阴极金属边缘的倒角的一面。

8.如权利要求1-7之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材，其特征在于，所述阴极金属包括金属Ti、金属Al、金属Ta和金属Cu中的任意一种或至少两种的组合，优选为金属Ti。

9.一种金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在物理气相沉积PVD过程中，权利要求1-8之一所述的避免反溅射层剥离的SIP系列靶材在Ar离子轰击下，形成金属薄膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述避免反溅射层剥离的SIP系列靶材为SIP Ti靶材，所述方法包括：采用TiN工艺，以SIP Ti靶材制备Ti金属薄膜。

11.一种金属薄膜，其特征在于，所述金属薄膜通过权利要求9或10所述的方法制备得到。