[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件的制造方法，包括：

提供基底，其中在所述基底上形成有多个堆叠结构，所述基底中具有沟槽，且所述沟槽位于相邻的堆叠结构之间，其中所述多个堆叠结构的每一者包括隧穿介电层以及浮置栅极，所述隧穿介电层设置于所述浮置栅极与所述基底之间；

在所述基底上形成包括第一氧化衬材料层、氮化衬层以及第二氧化衬材料层的衬材料层，其中所述第一氧化衬材料层覆盖所述多个堆叠结构，所述氮化衬层与所述第二氧化衬材料层设置于所述第一氧化衬材料层上，且所述氮化衬层与所述第二氧化衬材料层分别直接接触所述第一氧化衬材料层的不同部分，所述第二氧化衬材料层位于所述氮化衬层的上方；

在所述基底上形成覆盖所述衬材料层的隔离材料层，其中所述隔离材料层填入所述沟槽；

对所述隔离材料层进行第一氧化制作工艺且移除部分的所述隔离材料层，以形成隔离结构；

在所述基底上形成栅间介电层，其中所述栅间介电层覆盖所述多个堆叠结构与所述隔离结构；以及

在所述基底上形成控制栅极，其中所述控制栅极覆盖所述栅间介电层。

2.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中所述氮化衬层的顶表面低于所述浮置栅极的顶表面，且所述氮化衬层的顶表面高于所述隧穿介电层的顶表面。

3.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中在所述基底上形成所述衬材料层的步骤包括：

在所述基底上形成覆盖所述多个堆叠结构的所述第一氧化衬材料层；

在所述基底上形成覆盖所述第一氧化衬材料层的氮化衬材料层；

在所述基底上形成覆盖所述氮化衬材料层的保护材料层，其中所述保护材料层填入所述沟槽；

移除部分的所述保护材料层，以形成保护层，其中所述保护层暴露出部分的所述氮化衬材料层；

对经暴露的部分的所述氮化衬材料层进行第二氧化制作工艺；以及

移除所述保护层。

4.如权利要求3所述的存储器元件的制造方法，其中所述第二氧化制作工艺包括低温等离子体氧化制作工艺。

5.如权利要求3所述的存储器元件的制造方法，其中所述保护材料层的材料包括有机聚合物。

6.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中形成所述隔离材料层的方法包括进行旋涂法。

7.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中所述第一氧化制作工艺包括水蒸气氧化制作工艺。

8.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中移除部分的所述隔离材料层的步骤包括：

对所述隔离材料层进行平坦化制作工艺，以暴露出部分的所述衬材料层；以及

对所述隔离材料层进行回蚀刻制作工艺，以在相邻的堆叠结构之间形成凹槽，其中所述凹槽的底表面不低于所述氮化衬层的顶表面。

9.如权利要求8所述的存储器元件的制造方法，其中所述控制栅极填入所述凹槽。

10.如权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中在所述基底上形成所述衬材料层之前，还包括在所述多个堆叠结构的每一者上设置硬掩模层。

11.一种存储器元件，其特征在于，该存储器元件包括：

多个堆叠结构，设置于基底上，其中所述多个堆叠结构的每一者包括隧穿介电层以及浮置栅极，且所述隧穿介电层位于所述浮置栅极与所述基底之间；

衬层，设置于所述多个堆叠结构的部分侧壁上，其中所述衬层包括第一氧化衬层、氮化衬层以及第二氧化衬层，所述第一氧化衬层与所述多个堆叠结构的部分侧壁接触，所述氮化衬层与所述第二氧化衬层彼此接触且设置于所述第一氧化衬层上，且所述第二氧化衬层位于所述氮化衬层的上方；

隔离结构，设置于所述堆叠结构的两侧；

栅间介电层，设置于所述基底上且覆盖所述堆叠结构与所述隔离结构；以及

控制栅极，设置于所述基底上且覆盖所述栅间介电层。