[发明专利]一种谐振器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010372867.5 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111490742A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 季泳;刘胜伟 | 申请（专利权）人： | 贵州省高新光电材料及器件研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 宋妍丽 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市贵阳国家高新*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 谐振器 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种谐振器结构，包括衬底(100)和中间层，其特征在于：所述中间层由底布拉格反射层(101)、底电极层(102)、压电层(103)、顶电极层(104)、顶布拉格反射层(105)逐层溅射构成，中间层溅射在衬底上。
2.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述中间层为一组，衬底(100)和中间层构成谐振器单体(200)。
3.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述中间层为多组层叠溅射。
4.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述衬底(100)为蓝宝石基片、石英、玻璃、微晶玻璃、碳化硅、氮化镓或硅。
5.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述底布拉格反射层(101)和顶布拉格反射层(105)均由低机械阻抗材料和高机械阻抗材料，进行高低阻抗匹配而成，层数为1～20层。
6.如权利要求5所述的谐振器结构，其特征在于：所述低机械阻抗材料为一点八氧化硅，高机械阻抗材料为氮化铝、钼、氧化钽。
7.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述底电极层(102)和顶电极层(104)由钼制成。
8.如权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于：所述压电层(103)由氮化铝、氮化铝钪或氧化锌制成。
9.一种谐振器的制造方法，其特征在于：采用如下步骤：
①预制基层：在衬底(100)上溅射底布拉格反射层(101)；
②制底电极层：在底布拉格反射层(101)上溅射底电极层(102)；
③刻底电极：在底电极层(102)上采用光刻、湿法刻蚀或干法刻蚀的方式制作电极；
④制中层：在底电极层(102)上逐层溅射压电层(103)、顶电极层(104)；
⑤刻顶电极：在顶电极层(104)上采用光刻、湿法刻蚀或干法刻蚀的方式制作电极；并在顶电极层(104)上溅射顶布拉格反射层(105)；
⑥层叠：根据所需制作电极层数中尚未完成的层数，以同样的次数重复步骤②至⑤，如尚未完成的层数为0，则直接进入下一步骤；
⑦制掩模：按衬底(100)尺寸、根据图案设计制作掩膜版。
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