[发明专利]显示装置及显示装置制造方法在审
申请号: | 202010372130.3 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN111916477A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 崔允祯;金相烈;鲁硕原;金亨植;吴守贤 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
公开一种显示装置及显示装置制造方法。根据一实施例的显示装置可以包括:基底基板;电路层;发光元件层;封装层;以及模块孔。所述发光元件层可以包括第一电极、发光层以及第二电极。由于所述第二电极包括:第一部分,与所述模块孔不重叠且具有第一厚度;以及第二部分,布置在所述模块孔和所述第一部分之间,并且厚度随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加,因此,可以提高显示装置在高温潮湿环境下的耐久性。
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法,更加详细地,涉及提高了耐久性的显示装置及其制造方法。
背景技术
近来,为了在显示装置中收纳相机等电子模块,正在活跃进行形成贯通显示模块的显示区域的孔的技术。但是,在通过物理方法形成孔的情形下,会发生如下的问题:在由金属构成的电极产生颗粒而损伤周围区域,或者电极翘起而容易由于热或者湿气而受损。
发明内容
本发明的一目的在于提供提高了耐久性的显示装置。
本发明的一目的在于提供提高了耐久性的显示装置的制造方法。
根据一实施例的显示装置可以包括显示区域以及模块孔区域。所述模块孔区域可以被定义在所述显示区域。所述显示装置可以包括基底基板、电路层、发光元件层、封装层以及模块孔。所述电路层可以布置在所述基底基板上。所述发光元件层可以布置在所述电路层上。所述发光元件层可以包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述封装层可以布置在所述发光元件层上。所述模块孔可以与所述模块孔区域重叠,并且贯通所述基底基板、所述电路层以及所述发光元件层而被定义。所述模块孔可以收纳电子模块。所述第二电极可以包括第一部分和第二部分。所述第一部分可以与所述模块孔不重叠且具有第一厚度。所述第二部分可以布置在所述模块孔和所述第一部分之间。所述第二部分的厚度可以随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
所述第二电极可以包括Ag(银)和Mg(镁)。
在所述第二部分,所述Ag和所述Mg可以具有非晶结构以及多晶结构。在所述第一部分,所述Ag和所述Mg可以具有多晶结构。
在所述第二部分,越是靠近所述电路层的部分越可以具有宽的宽度。
在所述第一部分,所述Ag和所述Mg的摩尔比可以为95:5至85:15。
所述第二电极还可以包括Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo以及Ti中的至少一个。所述第二电极可以是半透射电极。
所述电子模块可以是相机模块或者红外线感测模块。
根据一实施例的显示装置可以包括显示区域以及模块孔区域。所述模块孔区域可以被定义在所述显示区域。所述显示装置可以包括基底基板、电路层、发光元件层以及模块孔。所述电路层可以布置在所述基底基板上。所述发光元件层可以布置在所述电路层上。所述发光元件层可以包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述模块孔可以与所述模块孔区域重叠。所述模块孔可以通过贯通所述基底基板、所述电路层以及所述发光元件层而被定义。
所述第二电极可以包括Ag和Mg。所述第二电极可以包括第一部分和第二部分。所述第一部分可以与所述模块孔不重叠。所述第二部分可以布置在所述模块孔和所述第一部分之间。在所述第一部分,所述Ag和所述Mg可以具有多晶结构。在所述第二部分,所述Ag和所述Mg可以具有非晶结构以及多晶结构。
所述第一部分可以具有均匀的厚度。所述第二部分的厚度可以随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
以整个所述第一部分为基准的所述第一部分的Ag的摩尔比可以与以整个所述第二部分为基准的所述第二部分的Ag的摩尔比不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的