[发明专利]浅沟槽隔离结构制造方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底结构；所述基底结构至少包括衬底；

对所述基底结构进行刻蚀，以去除部分的基底结构，从而在所述基底结构中形成沟槽；

在第一气体氛围下对形成有沟槽的基底结构进行退火，以对所述沟槽的侧壁及底部进行硼掺杂；所述第一气体包含含硼源的气体和氧气；

在进行了硼掺杂的沟槽中形成绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硼源的气体包括：卤化硼气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述卤化硼气体包括：三溴化硼。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

控制所述第一气体通入的流量速度、所述退火的温度及所述退火的时长，以使在所述沟槽的侧壁及底部的硼掺杂的深度满足预设深度条件。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进行退火时，所述第一气体通入的流量速度包括：0.1L/min～2L/min，所述退火的温度包括：600℃～1000℃，所述退火的时长包括：2s～60min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在第一气体氛围下对形成沟槽的所述基底结构进行退火之后，在进行了硼掺杂的沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述沟槽的侧壁及底部；

在形成有阻挡层的沟槽中形成所述绝缘层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基底结构的步骤包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成氧化物层和氮化物层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的材料包括二氧化硅，所述氮化物层的材料包括氮化硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在进行了硼掺杂的沟槽中形成绝缘层的步骤包括：

向进行了硼掺杂的沟槽中填充隔离材料；所述隔离材料包括二氧化硅；

对填充的隔离材料进行平坦化处理，形成所述绝缘层。