[发明专利]硅上液晶装置镜金属工艺

说明书

本申请案涉及一种硅上液晶装置镜金属工艺。反射型半导体装置包含安置在半导体层中的集成电路。第一多个镜形成在所述半导体层上方的镜层中，并且所述第一多个镜中的每一者彼此间隔开至少均匀宽度。薄电介质膜层覆盖所述第一多个镜的侧壁及在经间隔开的第一多个镜之间的区中的所述半导体层。第二多个镜形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述半导体层的所述薄电介质膜层上方的所述镜层中。所述第一及第二多个镜中的每一者具有均匀宽度，并且耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路。

技术领域

本发明大体上涉及反射型半导体装置，且特定来说(但非排他性地)涉及硅上液晶(LCOS)装置。

背景技术

存在用于显示或投影视频图像的多种技术。此类技术包含例如阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)、数字光处理(DLP)、硅上液晶(LCOS)装置，仅举几例。LCOS装置可在显示器、投影仪、微型显示器以及其它应用中找到，例如光切换、波长可选择切换、脉冲成形及类似者。LCOS装置通常包含液晶层及其它相关联层，其形成在由集成电路控制的反射型背板的顶部上。反射型背板顶部上的液晶层所包含的相关联层通常包含保护性透明覆盖层、对准层、透明电极层、平面绝缘层及类似者。反射型背板包含反射型表面，其由集成电路控制以将光反射通过液晶及形成在背板顶部上的其它层以调制光，其可用于向观看者提供图像或视频。LCOS装置面临的一个持续挑战是不断需要更小及更紧凑的芯片大小的更高分辨率及更高动态范围的显示器。

发明内容

一方面，本申请案提供一种反射型半导体装置，其包括：集成电路，其安置在半导体层中；第一多个镜，其形成在安置在所述半导体层上方的镜层中，其中所述第一多个镜中的每一者耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路，且其中所述第一多个镜中的每一者与所述第一多个镜中的另一者在所述镜层中间隔开至少均匀宽度；薄电介质膜层，其覆盖所述第一多个镜的侧壁及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层；及第二多个镜，其形成在所述镜层中，其中所述第二多个镜中的每一者形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层的所述薄电介质膜层上方，其中所述第一多个镜中的每一者及所述第二多个镜中的每一者具有所述均匀宽度，其中所述第二多个镜中的每一者通过所述薄电介质膜层中的相应开口耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路。

另一方面，本申请案提供一种形成反射型半导体装置的方法，其包括：在半导体层中提供集成电路；在所述半导体层上方形成第一金属层；穿过所述第一金属层到所述半导体层蚀刻开口，以在包括所述第一金属层的所述半导体层上方形成第一多个镜，其中穿过所述第一金属层的所述开口中的每一者具有至少均匀宽度；用薄电介质膜层覆盖所述第一多个镜的表面、所述第一多个镜的侧壁及蚀刻通过所述第一金属层的所述开口中的所述半导体层；穿过所述薄电介质膜层到所述第一多个镜的薄电介质膜层覆盖的侧壁之间的区中的所述半导体层产生开口，以提供到所述半导体层中的所述集成电路的接触通路；在所述薄电介质膜层及穿过所述薄电介质膜层到所述半导体层的所述开口上方形成第二金属层；以及将所述第二金属层减薄到所述第一多个镜的所述侧壁，以在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间形成第二多个镜，其中所述第一多个镜及所述第二多个镜具有所述均匀宽度。

附图说明

参考以下图式描述本发明的非限制性及非穷尽实例，其中相似参考数字贯穿各种视图指代相似部分，除非另有规定。

图1A到1B说明根据本发明的教示的LCOS装置的俯视图及横截面图的实例。

图2A到2G说明根据本发明的教示的在LCOS装置的一个实例的制造期间的各种实例横截面处理视图。

图3是说明根据本发明的教示的制造LCOS装置的一个实例的处理步骤的流程图。