[发明专利]硅上液晶装置镜金属工艺

权利要求书

1.一种反射型半导体装置，其包括：

集成电路，其安置在半导体层中；

第一多个镜，其形成在安置在所述半导体层上方的镜层中，其中所述第一多个镜中的每一者耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路，且其中所述第一多个镜中的每一者与所述第一多个镜中的另一者在所述镜层中间隔开至少均匀宽度；

薄电介质膜层，其覆盖所述第一多个镜的侧壁及在所经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层；及

第二多个镜，其形成在所述镜层中，其中所述第二多个镜中的每一者形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层的所述薄电介质膜层上方，其中所述第一多个镜中的每一者及所述第二多个镜中的每一者具有所述均匀宽度，其中所述第二多个镜中的每一者通过所述薄电介质膜层中的相应开口耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路。

2.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中覆盖所述第一多个镜的所述侧壁的所述薄电介质膜层将所述第一多个镜与所述第二多个镜隔离。

3.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层的厚度范围从5nm到150nm。

4.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其进一步包括安置在所述镜层上方的液晶层。

5.根据权利要求4所述的反射型半导体装置，其中所述反射型半导体装置是硅上液晶LCOS装置。

6.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过化学气相沉积CVD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。

7.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过原子层沉积ALD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。

8.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过物理气相沉积PVD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。

9.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由氧化物构成。

10.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由氮化物构成。

11.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由介电常数大于3.9的电介质材料构成。

12.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层的至少一部分安置在所述第二多个镜与所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层之间。

13.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜的所述宽度大体上大于或等于1um。

14.根据权利要求13所述的反射型半导体装置，其中所述第二多个镜的所述宽度大体上大于或等于1um。

15.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中使用化学机械抛光CMP平坦化所述镜层。

16.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜及所述第二多个镜包括金属。

17.根据权利要求16所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜包括铝。