[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

在衬底上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；

沟道，穿透所述栅电极并且在所述垂直方向上延伸；

隧道绝缘图案，形成在所述沟道的外侧壁上；

电荷俘获图案结构，形成在所述隧道绝缘图案的在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上邻近所述栅电极的外侧壁上，所述电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及

阻挡图案，形成在邻近所述电荷俘获图案结构的所述栅电极中的每个和所述电荷俘获图案结构之间；

其中所述上电荷俘获图案的上表面高于邻近所述电荷俘获图案结构的栅电极的上表面，以及

其中所述下电荷俘获图案的下表面低于邻近所述电荷俘获图案结构的栅电极的下表面。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述上电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分减小，并且所述下电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分增大。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案覆盖所述栅电极中的每个的所述上表面和所述下表面。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中：

所述阻挡图案是第二阻挡图案；以及

所述垂直存储器件还包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述上电荷俘获图案的所述上表面和所述下电荷俘获图案的所述下表面。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中所述第二阻挡图案在所述垂直方向上具有比所述第一阻挡图案的厚度大的厚度。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中：

所述上电荷俘获图案和所述下电荷俘获图案通过所述隧道绝缘图案的一部分在所述垂直方向上彼此间隔开；以及

所述隧道绝缘图案包括在所述水平方向上远离所述沟道突出的突起。

7.根据权利要求6所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案的侧壁接触所述隧道绝缘图案的所述突起，并且朝向所述栅电极中的每个具有凸形。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述栅电极中的每个的在所述水平方向上邻近所述沟道的侧壁朝向所述沟道具有凹形或凸形。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述栅电极中的每个的在所述水平方向上邻近所述沟道的侧壁朝向所述沟道具有波浪形状。

10.一种垂直存储器件，包括：

在衬底上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；

沟道，穿透所述栅电极并且在所述垂直方向上延伸；

隧道绝缘图案，形成在所述沟道的外侧壁上；

电荷俘获图案结构，形成在所述隧道绝缘图案的在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上邻近所述栅电极的外侧壁上，所述电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及

阻挡图案，形成在邻近所述电荷俘获图案结构的所述栅电极中的每个和所述电荷俘获图案结构之间，其中所述阻挡图案覆盖所述栅电极中的每个的上表面和下表面。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案覆盖所述上电荷俘获图案的上表面和所述下电荷俘获图案的下表面。

12.根据权利要求11所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案的覆盖所述栅电极中的每个的所述上表面和所述下表面的部分具有比所述阻挡图案的覆盖所述上电荷俘获图案的所述上表面和所述下电荷俘获图案的所述下表面的部分的厚度大的厚度。

13.根据权利要求10所述的垂直存储器件，其中所述上电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分减小，并且所述下电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分增大。