[发明专利]一种表面缺陷型F掺杂的g-C3

权利要求书

1.一种表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄光催化材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）选用前驱体制备本体g-C₃N₄材料，所述前驱体是尿素、双氰胺、三聚氰胺或硫脲中的至少一种，利用马弗炉制备本体g-C₃N₄，设置升温速率为2-30 ℃/min加热至450-700 ℃，并在此温度保持1-10 h；

（2）对制得的本体g-C₃N₄进行微波刻蚀，制备表面缺陷型F掺杂g-C₃N₄材料，微波刻蚀时采用氢氟酸和/或含氟元素的盐溶液为介质，本体g-C₃N₄用量为0.5-2 g，氢氟酸和/或含氟元素的盐溶液用量为5-20 mL，浓度为0.1-3mol/L，微波刻蚀时微波消解仪的温度为100℃-180 ℃，以10-50 ℃/min的加热速度进行升温；

（3）将制得的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄离心清洗，去上清液，清洗，真空烘干即得具有片状结构且沿边缘破裂的表面缺陷型F掺杂光催化材料。

2.根据权利要求1所述的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄光催化材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）微波刻蚀设置参数为：温度为150 ℃；压力上限默认值100；温度的升温时间为5min；阶段总时间为20 min；功率最大占比默认值为99。

3.根据权利要求2所述的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄光催化材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中离心清洗时分别依次加入10 mL去离子水和乙醇离心清洗。

4.根据权利要求3所述的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄光催化材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中烘干温度为50-100 ℃，烘干时间为1-10 h。

5.一种表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄光催化材料，其特征在于：采用如权利要求1-4中任一项所述的方法进行制备，本体g-C₃N₄通过微波刻蚀后获得表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄ 光催化材料，分子式为g-C₃N_aF_b，式中a＋b＝4。

6.如权利要求1-4中任一项所述的制备方法制备的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄材料在光催化降解PPCPs的应用。

7.一种如权利要求1-4中任一项所述的制备方法制备的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄材料在光催化降解PPCPs中的应用方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将微波刻蚀法制备的表面缺陷型F掺杂的g-C₃N₄材料加入到PPCPs溶液中，超声处理，搅拌，得第一混合液；

（2）将所述第一混合液进行光降解。