[发明专利]一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路

说明书

本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。

技术领域

本发明涉及分立器件测试技术领域，尤其是一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路。

背景技术

在MOSFET的漏极测量端是接在载物台上的，即使载物台的内阻很低，误差可忽略，漏极衬底电流路径上的等效电阻会累加到被测器件Rdson(导通电阻)的数值上，使得漏极回路不再是标准的Kelvin连接，这样就造成了大量的测量误差。这种测量误差是不稳定的，当被测颗粒的底部接触较好时，误差很小，当被测颗粒底部及附近的颗粒接触都不好时，误差就比较大。

为了降低误差，就需使晶圆与CHUNK台贴合的尽量紧密，中间的空隙尽量少。这样可以减小共漏极测量端到被测器件的路径长度，减小非Kelvin连接部分的电阻。当漏极引起的附加电阻远小于Rdson(导通电阻)时，测试结果就是可信的。这种测试方法对载物台的平整度和表面接触电阻提出了很高的要求。

目前的测试方案，绝大多是通过向载片台镀厚金层来提升载片台的平整度，减弱接触不均匀造成的影响，但是这样探针台的成本被大大提升，因此产生了标准临近颗粒法，但是传统的临近颗粒法有一个严重的问题，就是当用于实施临近颗粒法的辅助颗粒是坏管芯时，会导致被测颗粒无法测试，系统就会将这种颗粒直接判断为失效管芯，造成良品率的下降。

发明内容

在本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。

为了实现本发明的目的，所采用的技术方案是：

本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson(导通电阻)，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson(导通电阻)参数测试，本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。

方案进一步是：所述N个被测颗粒其数量与测试工位的电路臂数量保持一致，其N值越大测试误判率越低。

方案进一步是：所述栅极驱动电压保持在±5V以内，便可保持常通状态。

方案进一步是：所述被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，因此选择次近的颗粒作为辅助颗粒。

方案进一步是：所述临近颗粒测试方法测量被测MOSFET晶圆良品率90％，四工位时误判率为0.1％，八工位时误判率为0.00001％。

本发明的瞬态热阻测试电路的有益效果是：

本发明的一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。