[发明专利]中框、中框的制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种中框，其特征在于，包括：金属框和覆盖所述金属框外表面的瓷釉层；

所述金属框上开设有多个隔断缝隙，所述隔断缝隙分割所述金属框以形成多个天线，所述隔断缝隙内具有绝缘的填充部。

2.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述中框还包括覆盖所述金属框内表面的内釉层，所述金属框和所述内釉层上对应开设有所述隔断缝隙。

3.根据权利要求2所述的中框，其特征在于，所述中框还包括覆盖所述瓷釉层外表面的透明釉层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的中框，其特征在于，所述金属框包括依次首尾连接的第一边框、第二边框、第三边框和第四边框，所述第一边框和所述第三边框相对设置，所述第二边框和所述第四边框相对设置，所述隔断缝隙设置在所述第一边框、第二边框、第三边框和第四边框中的任意一个或多个上。

5.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述金属框包括铝合金、钢或不锈钢，所述填充部包括介电常数小于3的热固性或热塑性材料。

6.根据权利要求3所述的中框，其特征在于，所述透明釉层包括二氧化硅或二氧化锆。

7.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述金属框的厚度为0.2-10mm，所述瓷釉层的厚度为0.05-0.5mm。

8.根据权利要求7所述的中框，其特征在于，所述金属框的厚度为0.2-2mm。

9.根据权利要求3所述的中框，其特征在于，所述透明釉层的厚度小于0.05mm。

10.一种中框的制备方法，其特征在于，包括：

提供金属框；

在所述金属框的外表面上形成瓷釉层；

在所述金属框的内侧进行开缝处理，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，同时保留完整的所述瓷釉层；

采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层的同时，还包括：

在所述金属框的内表面上形成内釉层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，具体包括：

在所述内釉层的内侧进行开缝处理，在所述内釉层和所述金属框上对应开设隔断缝隙。

13.根据权利要求10或12所述的制备方法，其特征在于，所述开缝处理包括化学蚀刻工艺和/或镭雕工艺。

14.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层之后，还包括：

在所述瓷釉层的外表面涂覆透明釉，并烧结形成透明釉层。

15.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层，具体包括：

采用浸搪、喷搪、静电干粉涂搪或电泳涂搪，将瓷釉材料涂覆于所述金属框的外表面；

采用预设温度烧结涂覆有所述瓷釉材料的所述金属框预设时间，并进行冷却，以使所述瓷釉材料形成与所述金属框结合的瓷釉层。

16.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部，具体包括：

采用低介电常数的热固性或热塑性材料，通过纳米注塑工艺或点胶工艺填充所述隔断缝隙以形成填充部。